时间：2025/5/19 13:08:53
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CDR01BP101BKUM 是一种基于氮化镓（GaN）技术的功率电子器件，属于 Cascode 结构的增强型 GaN FET。它结合了传统硅 MOSFET 和高性能 GaN HEMT 的优点，能够在高频、高效率的应用场景中提供卓越的性能表现。
该器件专为高开关频率应用而设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于 DC-DC 转换器、反激式电源、电机驱动器以及其他功率转换系统。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8A
导通电阻：16mΩ
栅极阈值电压：1.4V
输入电容：920pF
开关速度：纳秒级
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CDR01BP101BKUM 具备以下显著特性：
1. 高效性能：得益于 GaN 材料的独特优势，该器件能够实现更高的效率，尤其在高频工作条件下表现出色。
2. 快速开关能力：其极低的 Qg 和快速开关速度使得它可以轻松适应高频应用场景。
3. 小巧封装：采用紧凑型封装设计，有助于节省电路板空间。
4. 热稳定性强：在宽温范围内保持稳定的电气性能。
5. 集成保护功能：部分型号内置过流保护及短路保护机制，增强了系统的可靠性。
CDR01BP101BKUM 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器，尤其是在需要高效率和小体积的设计中。
2. 电机驱动：
驱动小型无刷直流电机或步进电机，适用于家用电器、工业设备等。
3. 可再生能源：
例如太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 汽车电子：
如车载充电器、DC-DC 转换器等。
5. 消费类电子产品：
包括快速充电器和其他便携式设备的适配器。
CDR01BP100BQUM, CDR01CP101BKUM
