PR3007是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由ProTek Devices公司制造。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计,适用于广泛的电源管理和功率转换系统。PR3007采用了先进的沟槽技术,提供了低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,使其在高温和高负载条件下仍能保持稳定的性能。该MOSFET采用TO-252(DPAK)封装,具有良好的热管理和小型化设计,适用于空间受限的电路板布局。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):110A(在Tc=25℃)
脉冲漏极电流(Idm):440A
导通电阻(Rds(on)):最大7.7mΩ(在Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):典型值70nC
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-252(DPAK)
PR3007的主要特性包括其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高系统的整体效率。其高电流能力使其适用于高功率密度应用,例如同步整流器、DC-DC转换器以及电池管理系统。此外,该器件的快速开关特性使其适用于高频开关应用,从而减小外部滤波元件的尺寸和成本。PR3007的沟槽MOSFET结构优化了电场分布,提高了器件的可靠性和耐用性。其封装设计提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下也能保持稳定的运行。
该MOSFET的栅极驱动要求相对较低,可在10V栅极驱动电压下实现完全导通,兼容常见的驱动IC和控制器。此外,PR3007具备良好的热稳定性,能够在极端温度环境下工作,适用于汽车电子、工业控制、电源管理和消费类电子产品中的高要求应用。
PR3007广泛应用于各种电源管理领域,包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统。其高效率和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择。此外,该器件也常用于服务器电源、电信设备、UPS系统以及工业自动化设备中的功率转换模块。在汽车电子领域,PR3007可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)以及电池管理系统(BMS)等关键部件中。
Si7410DP, IRF1104S, STD110N3LLF7AG, FDS6680