最大重复峰值反向电压：40V
　　最大平均整流电流：1A
　　正向压降（IF=1A）：0.45V（典型值）
　　反向漏电流（VR=40V）：100μA（最大值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　存储温度范围：-65℃至+150℃
　　封装类型：SOD-123FL

LMBR140XFT1G的主要特性之一是其低正向压降（VF），在1A的正向电流下，典型值仅为0.45V，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。由于采用了肖特基势垒技术，该器件具有极快的开关速度，几乎不存在反向恢复时间（trr），因此非常适合高频开关应用。
　　此外，LMBR140XFT1G具备良好的热稳定性，能够在-55℃至+150℃的温度范围内稳定工作，适应性强。该器件的封装形式为SOD-123FL，是一种小型化的表面贴装封装，适合自动化贴片生产，节省PCB空间，适用于高密度电路设计。
　　其反向漏电流在最大工作电压下保持在100μA以下，有助于降低静态功耗。同时，该器件具备一定的浪涌电流承受能力，增强了在恶劣工况下的可靠性。LMBR140XFT1G符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。

LMBR140XFT1G广泛应用于各类电源管理系统，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、负载开关和电池充电器。由于其低正向压降和高效率特性，它特别适合用于提高能量转换效率的关键整流环节。
　　在通信设备中，该器件常用于电源模块的整流部分，以确保高稳定性和低功耗。此外，在便携式电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电管理电路中，LMBR140XFT1G也能发挥重要作用。
　　工业控制系统、LED照明驱动器和消费类电子产品中也常见其身影。该器件的高频特性使其适用于开关电源（SMPS）中的次级整流、自由轮二极管以及反激式变换器中的箝位电路等应用场景。

RB168MM-40ELCT-F, VS-1ESD40100-S, MBRA140T3