晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：40V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：50V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-92
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益带宽积（fT）：100MHz
　　噪声系数（NF）：典型值3dB
　　电流增益（hFE）：在IC=10mA, VCE=5V时，典型值为100~300

2N4443 是一款专为高频应用设计的NPN晶体管，其具有低噪声系数和高过渡频率（fT），适合用于射频信号放大。该晶体管在高频下仍能保持良好的增益稳定性，适用于VHF/UHF频段的放大器设计。此外，2N4443具有良好的线性度和温度稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
　　其TO-92封装形式便于在PCB上安装，适用于通用电子设备和小型化电路设计。由于其良好的高频特性，2N4443常用于前置放大器、混频器、本地振荡器以及中频放大电路中。该器件还具有较低的输入电容，有助于减少高频信号的失真。
　　2N4443的增益（hFE）可根据不同批次有所变化，通常在100至300之间，适用于需要中等增益放大的电路设计。同时，该晶体管的功耗较低，适合电池供电设备中的应用。

2N4443 主要用于射频和中频放大器电路，常见于无线通信系统、调频收音机、电视调谐器、无线模块和中继器等设备中。它也适用于低噪声前置放大器、混频器和本地振荡器电路。此外，该晶体管还可用于音频放大器的高频补偿电路、振荡器和开关电路中，适用于需要高频响应的各类电子系统。

2N4442, 2N3904, BF199, BF200