类型：超快恢复整流二极管
　　封装/外壳：TO-252（DPAK）
　　反向重复峰值电压（VRRM）：50 V
　　平均整流电流（IO）：3 A
　　正向压降（VF）：典型值 0.53 V（在1 A, TJ = 25°C时）
　　最大正向压降（VF）：0.68 V（在3 A, TJ = 25°C时）
　　反向漏电流（IR）：最大 0.1 μA（在50 V, TJ = 25°C时）
　　反向恢复时间（trr）：典型值 15 ns（在IF = 0.5 A, dI/dt = 100 A/μs时）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　热阻（RθJA）：约 50 °C/W（在标准FR-4 PCB上）
　　热阻（RθJC）：约 3.5 °C/W

EVM3RSX50B24具备出色的动态开关特性，其反向恢复时间（trr）典型值仅为15 ns，属于超快恢复二极管范畴，能够显著减少开关过程中的能量损耗，降低电磁干扰（EMI），从而提升高频开关电源的整体效率与可靠性。该器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，反向漏电流在高温条件下增长缓慢，确保系统在恶劣工况下依然安全运行。其正向压降较低，在1 A电流下典型值为0.53 V，可有效减少导通损耗，尤其适用于低压大电流输出的DC-DC转换器中。器件采用环保无铅封装，符合RoHS指令要求，并通过了IEC 61249-2-21的卤素含量标准，适合绿色电子产品设计。EVM3RSX50B24具有较高的浪涌电流承受能力，能够应对电源启动或负载突变时的瞬态电流冲击，增强了系统的鲁棒性。其TO-252封装不仅提供了良好的散热性能，还支持自动化贴片安装，便于大规模生产。该二极管经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环等试验，确保长期使用的稳定性。此外，器件内部结构优化减少了寄生电感和电容，有助于改善高频下的开关行为。EVM3RSX50B24广泛应用于同步整流替代方案、续流二极管、反向极性保护以及逆变器电路中，是现代高效率电源设计中的关键元件之一。
　　该器件特别适用于工作频率在几十kHz至数百kHz范围内的开关电源拓扑，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）、LLC谐振变换器等。由于其快速恢复特性，能够有效抑制反向恢复电流尖峰，减少主开关器件（如MOSFET）的应力，延长其使用寿命。同时，低正向压降带来的导通损耗降低，使得整个电源系统的热管理更加容易，有助于缩小散热器尺寸甚至实现无风扇设计。在电池充电器、适配器、LED驱动电源等对效率和体积有严格要求的应用中，EVM3RSX50B24表现出色。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在极端环境温度下正常工作，适用于工业控制、汽车电子和户外设备等应用场景。

广泛用于开关模式电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器、反激式和正激式电源拓扑、续流二极管电路、逆变器、UPS不间断电源、电池充电器、LED照明驱动电源、电信整流模块以及工业控制系统中的整流与保护电路。

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　　 "MBR340",
　　 "SB350",
　　 "ES3D",
　　 "PFES360AY"
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