MC33282DR2 时间：2025/9/3 15:33:44 阅读：8

MC33282DR2是一款由NXP Semiconductors生产的双路、高速、低边MOSFET驱动器集成电路。该器件专为需要高效率和快速开关能力的应用而设计，例如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理、LED驱动以及各种需要高侧或低侧MOSFET控制的系统。MC33282DR2采用14引脚SOIC封装，具有宽输入电压范围、低传播延迟和高输出驱动能力等优点，能够在恶劣的工业环境中稳定工作。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　通道数：2
　　封装类型：SOIC-14
　　工作电压范围：4.5V 至 18V
　　输出电流（峰值）：1.2A
　　传播延迟：典型值为8ns
　　输入逻辑电平：TTL/CMOS兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　低静态电流：典型值为10μA（待机模式）
　　驱动能力：适用于N沟道MOSFET
　　封装类型：表面贴装（SOIC）
　　保护功能：欠压锁定（UVLO）、热关断

特性

MC33282DR2具有多个关键特性，使其在电源管理和电机控制等应用中表现出色。首先，其双通道结构允许独立控制两个MOSFET，适用于半桥或同步整流拓扑。其次，它支持宽输入电压范围（4.5V至18V），使其兼容多种电源配置，包括电池供电系统。该器件的输出驱动能力高达1.2A峰值电流，可快速驱动大功率MOSFET，从而减少开关损耗并提高效率。
　　此外，MC33282DR2具有极低的传播延迟（典型值8ns），确保精确的开关同步，适用于高频开关应用。其输入逻辑兼容TTL和CMOS电平，便于与微控制器、DSP或PWM控制器接口。该器件还内置欠压锁定（UVLO）功能，防止在电源电压不足时误操作，提高系统稳定性。
　　另一个重要特性是热关断保护，当芯片温度过高时自动关闭输出，防止损坏。此外，MC33282DR2在待机模式下的静态电流非常低（典型值10μA），有助于延长电池供电设备的续航时间。其SOIC-14封装形式具有良好的散热性能，适合在紧凑空间内使用。

应用

MC33282DR2广泛应用于各种需要高效MOSFET驱动的场合。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、LED背光驱动电路、电池管理系统、工业电源和汽车电子系统。其高速开关能力使其适用于高频开关电源，而其低功耗待机模式则适用于便携式电子设备和节能型电源管理方案。
　　在电机控制应用中，MC33282DR2可用于驱动H桥中的低侧MOSFET，实现精确的速度和方向控制。在LED驱动器中，它可以作为PWM调光控制的高速开关驱动器。此外，该器件也适用于各种类型的电源转换器，如反激式、正激式和谐振式变换器，提供稳定可靠的MOSFET驱动。