时间：2025/8/6 7:04:06
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IXTQ280N055T 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能、高电流和低导通电阻的功率电子设备中。该器件采用 TO-263 封装（也称为 D2PAK），适用于表面贴装技术（SMT），便于在 PCB 上安装。该型号的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)）以及高电流承载能力，使其非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及电池充电系统等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：280A（@ Tc=100℃）
漏源电压（VDS）：55V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻 Rds(on)：最大 3.8mΩ（@ VGS=10V）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
功耗（PD）：270W
栅极电荷（Qg）：160nC（@ 10V）
漏极-源极击穿电压：55V
阈值电压（VGS(th)）：2.5V 至 4.5V
IXTQ280N055T 的设计使其在高电流和低电压应用场景中表现出色。其主要特性包括：
? 低导通电阻（Rds(on)）：最大为 3.8mΩ，这意味着在导通状态下，MOSFET 的功耗非常低，有助于提高整体系统的效率。
? 高电流容量：该器件可承受高达 280A 的连续漏极电流，适用于高功率负载应用。
? 高耐压能力：漏源电压（VDS）额定值为 55V，使其适用于中低压功率转换系统。
? 热稳定性好：由于采用 TO-263 表面贴装封装，IXTQ280N055T 能够有效地散热，从而提高其在高功率操作时的可靠性。
? 快速开关特性：该 MOSFET 的栅极电荷较低，使其在高频开关应用中表现出良好的性能，减少了开关损耗。
? 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +175℃，可在恶劣的环境条件下正常工作。
? 静电放电（ESD）保护：该器件具备一定的 ESD 耐受能力，有助于在制造和使用过程中防止静电损坏。
IXTQ280N055T 广泛应用于多种功率电子系统中，主要包括：
? 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等电源管理系统中，提高能量转换效率。
? 电机驱动：适用于大功率直流电机控制电路，如电动工具、电动车电机控制器等。
? 电池充电系统：用于高性能电池充电器中，实现快速充电和高效能量管理。
? 工业自动化：用于工业设备中的功率控制模块，如伺服驱动器、变频器等。
? 新能源系统：在太阳能逆变器、储能系统和电动车充电模块中发挥重要作用。
? 高功率 LED 照明驱动：用于大功率 LED 灯具的恒流驱动电路中，提供稳定的电流控制。
IXTQ280N055T 可以使用以下型号作为替代：IXTQ280N055AF、IXTQ280N055T2、IXTQ280N055T2L、IRFB4110、SiR340DP、IPB280N05N3G1
