时间：2025/6/19 18:41:07
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SQCSVA0R8BAT1A是来自Vishay公司的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TrenchFET? Gen IV技术，能够提供出色的开关性能和导通电阻特性，适用于高频开关应用。其小型化的封装设计使其非常适合于空间受限的应用场景。
型号：SQCSVA0R8BAT1A
类型：N沟道MOSFET
封装：PowerPAK? SC-70-6
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4.9A
导通电阻(Rds(on))：8mΩ (在Vgs=4.5V时)
总功耗(Ptot)：0.5W
工作结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
SQCSVA0R8BAT1A具有非常低的导通电阻(Rds(on))，这使得其在高电流应用中效率更高且发热量更低。
其采用PowerPAK? SC-70-6封装，这种封装不仅尺寸小，而且具备优良的热性能。
MOSFET的阈值电压较低，可实现快速开关，从而减少开关损耗。
由于其高频特性和低电荷量(Qg)，此器件非常适合用于DC/DC转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理电路。
SQCSVA0R8BAT1A主要应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制领域。
具体应用包括但不限于：笔记本电脑及平板电脑适配器、智能手机充电器、LED驱动器、电池管理系统(BMS)、电机控制电路以及各种高频开关模式电源(SMPS)解决方案。
此外，它也广泛用于需要高效能和小体积的便携式电子装置之中。
SQJH508EP, SiA450DJ
