NTHD4102PT1G 是一款由 Nexperia(原飞利浦半导体事业部)生产的高压 MOSFET,采用 TO-263 封装。该器件属于 P 沟道增强型 MOSFET,适用于高电压、大功率应用场合。其设计优化了导通电阻和开关性能,在汽车电子、工业电源以及通信设备等领域具有广泛应用。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:-2.2A
导通电阻:1.5Ω(典型值,@Vgs=-10V)
栅极电荷:39nC(典型值)
输入电容:1380pF(典型值)
总功耗:12W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
NTHD4102PT1G 具有以下显著特性:
1. 高压能力:额定耐压为 700V,能够满足各种高电压应用场景的需求。
2. 低导通电阻:在特定条件下,其导通电阻仅为 1.5Ω,从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷使得该器件能够在高频应用中表现出色。
4. 稳定性强:该器件经过严格筛选,具备出色的可靠性和稳定性,适合恶劣环境下的使用。
5. 符合 AEC-Q101 标准:适用于汽车级应用,确保在极端条件下的长期可靠性。
6. 小巧封装:TO-263 封装节省空间且散热性能优越。
NTHD4102PT1G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的高压开关元件。
2. 电机驱动电路中的负载切换。
3. 汽车电子系统,例如雨刷器电机控制、电动车窗及座椅调节等。
4. 工业设备中的固态继电器替代方案。
5. 电信设备中的电源管理模块。
6. 各类需要高电压、低功耗的电子系统。
NTHD4102PT1GA, NTHD4102PWT1G