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NTHD4102PT1G 发布时间 时间:2025/5/10 11:24:46 查看 阅读:20

NTHD4102PT1G 是一款由 Nexperia(原飞利浦半导体事业部)生产的高压 MOSFET,采用 TO-263 封装。该器件属于 P 沟道增强型 MOSFET,适用于高电压、大功率应用场合。其设计优化了导通电阻和开关性能,在汽车电子、工业电源以及通信设备等领域具有广泛应用。

参数

最大漏源电压:700V
  连续漏极电流:-2.2A
  导通电阻:1.5Ω(典型值,@Vgs=-10V)
  栅极电荷:39nC(典型值)
  输入电容:1380pF(典型值)
  总功耗:12W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

NTHD4102PT1G 具有以下显著特性:
  1. 高压能力:额定耐压为 700V,能够满足各种高电压应用场景的需求。
  2. 低导通电阻:在特定条件下,其导通电阻仅为 1.5Ω,从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷使得该器件能够在高频应用中表现出色。
  4. 稳定性强:该器件经过严格筛选,具备出色的可靠性和稳定性,适合恶劣环境下的使用。
  5. 符合 AEC-Q101 标准:适用于汽车级应用,确保在极端条件下的长期可靠性。
  6. 小巧封装:TO-263 封装节省空间且散热性能优越。

应用

NTHD4102PT1G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的高压开关元件。
  2. 电机驱动电路中的负载切换。
  3. 汽车电子系统,例如雨刷器电机控制、电动车窗及座椅调节等。
  4. 工业设备中的固态继电器替代方案。
  5. 电信设备中的电源管理模块。
  6. 各类需要高电压、低功耗的电子系统。

替代型号

NTHD4102PT1GA, NTHD4102PWT1G

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NTHD4102PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds750pF @ 16V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装ChipFET?
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTHD4102PT1GOSNTHD4102PT1GOS-NDNTHD4102PT1GOSTR