时间：2025/5/10 11:24:46
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NTHD4102PT1G 是一款由 Nexperia（原飞利浦半导体事业部）生产的高压 MOSFET，采用 TO-263 封装。该器件属于 P 沟道增强型 MOSFET，适用于高电压、大功率应用场合。其设计优化了导通电阻和开关性能，在汽车电子、工业电源以及通信设备等领域具有广泛应用。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：-2.2A
导通电阻：1.5Ω（典型值，@Vgs=-10V）
栅极电荷：39nC（典型值）
输入电容：1380pF（典型值）
总功耗：12W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NTHD4102PT1G 具有以下显著特性：
1. 高压能力：额定耐压为 700V，能够满足各种高电压应用场景的需求。
2. 低导通电阻：在特定条件下，其导通电阻仅为 1.5Ω，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷使得该器件能够在高频应用中表现出色。
4. 稳定性强：该器件经过严格筛选，具备出色的可靠性和稳定性，适合恶劣环境下的使用。
5. 符合 AEC-Q101 标准：适用于汽车级应用，确保在极端条件下的长期可靠性。
6. 小巧封装：TO-263 封装节省空间且散热性能优越。
NTHD4102PT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的高压开关元件。
2. 电机驱动电路中的负载切换。
3. 汽车电子系统，例如雨刷器电机控制、电动车窗及座椅调节等。
4. 工业设备中的固态继电器替代方案。
5. 电信设备中的电源管理模块。
6. 各类需要高电压、低功耗的电子系统。
NTHD4102PT1GA, NTHD4102PWT1G
