时间：2025/6/14 10:04:34
阅读：4
GMC02CG220F50NT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和耐热性能，适用于各种工业、汽车及消费类电子应用。其封装形式和电气特性使其非常适合用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。
型号：GMC02CG220F50NT
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：200V
最大连续漏电流(Id)：50A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V~4.0V
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：280W
工作温度范围(Ta)：-55℃~175℃
封装形式：TO-247
GMC02CG220F50NT 的主要特点是其低导通电阻和高电流承载能力，这使得它在高频开关应用中表现出色。
1. 低 Rds(on) 值能够减少传导损耗，从而提高整体系统效率。
2. 快速开关速度有助于降低开关损耗，特别适合高频操作环境。
3. 高雪崩击穿能量提高了器件的鲁棒性，增强了对瞬态电压的承受能力。
4. 具备良好的热稳定性和可靠性，可满足严苛的工作条件要求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
GMC02CG220F50NT 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 中的关键功率元件。
2. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电机控制器。
3. 工业自动化设备中的负载开关和继电器替代方案。
4. LED 照明系统的驱动电路。
5. 各种类型的 DC-DC 转换器，例如降压或升压转换器。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
GMC02CG220F50L, IRFP2907ZPBF, STP50NF20W
