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BZT52H-C13,115 发布时间 时间:2025/9/14 12:28:32 查看 阅读:9

BZT52H-C13,115是一款由Nexperia(原Philips Semiconductor)制造的表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),属于BZT52H系列。该系列二极管采用SOD-123封装,适用于需要精密电压调节和保护电路的场合。BZT52H-C13的具体稳压值为13V,容差为±2%,适合用于电源管理、电池供电设备、电压监控以及其他需要稳定参考电压的电子系统中。该器件具有良好的热稳定性和响应速度,能够提供可靠的稳压性能。

参数

类型:齐纳二极管(Zener Diode)
  制造商:Nexperia
  封装类型:SOD-123(表面贴装)
  稳压值(Vz):13V(@ Izt)
  容差:±2%
  测试电流(Izt):5mA
  最大齐纳阻抗(Zzt):100Ω
  最大反向漏电流(Ir):100nA(@ Vr = 10V)
  最大耗散功率(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

BZT52H-C13,115具有多个显著的电气和物理特性,使其在各类电子电路中表现出色。首先,其±2%的电压容差确保了在关键应用中电压的精确控制,适用于对稳压精度要求较高的模拟和数字电路。其次,该器件在额定测试电流(Izt = 5mA)下的齐纳阻抗较低,有助于减少在负载变化时的输出电压波动,从而提高系统的稳定性。
  此外,BZT52H-C13采用SOD-123小型表面贴装封装,具有良好的热性能和机械强度,适合在空间受限的PCB布局中使用。其最大耗散功率为300mW,在适当的散热设计下可以支持较高的工作电流,适用于多种电压调节和保护电路。
  该齐纳二极管还具有快速响应时间和良好的温度稳定性,能够在不同的环境条件下保持一致的稳压性能。其反向漏电流非常低(通常在100nA以下),在低功耗和待机模式下不会对系统造成明显影响。

应用

BZT52H-C13,115广泛应用于需要稳定参考电压或电压调节的电路中。例如,在电源管理模块中,它可以作为基准电压源,用于比较和调节输出电压。在电池供电设备中,它可用于监测和限制电压,防止过压损坏敏感的电子元件。
  此外,该器件常用于电压监控电路、ADC参考电压源、逻辑电平转换以及ESD保护电路。由于其紧凑的封装和高性能特性,也适用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子系统。

替代型号

BZT52C13-7-F(Diodes Inc)
  MMBZ52C13-7-F(Diodes Inc)
  ZXLD13C10(Diodes ZX)
  LMEZ13V(STMicroelectronics)

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BZT52H-C13,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)13V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大375mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商设备封装SOD-123F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称BZT52H-C13115-CHP