型号：MBR20100CT-BP
　　类型：双肖特基势垒整流二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大平均整流电流（IO）：20A（在特定散热条件下）
　　每芯片最大平均整流电流：10A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：300A（8.3ms单半正弦波）
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大正向压降（VF）：0.84V @ 10A, TJ=125°C（典型值）；1.0V @ 10A, TJ=125°C（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 100V, TJ=125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值≈0ns（无少子存储效应）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AC（全塑封）
　　引脚数：3
　　极性配置：共阴极双二极管

MBR20100CT-BP的核心特性之一是其低正向压降性能，在高温工作环境下仍能维持较低的VF值，这得益于其优化的金属-半导体结结构设计。当每个二极管通过10A电流时，其典型正向压降仅为0.84V，这意味着单个二极管的导通功耗仅为8.4W，相较于传统快恢复二极管或超快恢复二极管具有明显优势。这种低损耗特性对于高密度电源模块尤为重要，能够有效减少散热需求，缩小散热器尺寸，进而实现小型化设计。
　　另一个关键特性是其优异的热管理能力。TO-220封装具备良好的热传导路径，结合芯片级的低功耗特性，使得该器件可在较高环境温度下长期可靠运行。器件的最大结温高达+175°C，允许在严苛工业环境中使用。同时，其反向漏电流控制良好，在125°C高温下最大仅为1mA，避免了因漏电增大而导致的热失控风险。
　　作为一款双共阴极肖特基二极管，MBR20100CT-BP特别适合用于同步整流拓扑中的续流路径，例如在LLC谐振变换器或Buck/Boost转换器中替代MOSFET体二极管，以降低死区期间的导通损耗。由于没有PN结的少子存储效应，其开关行为极为迅速，几乎不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而消除了开关节点上的电压振铃和EMI噪声源，提升了系统的电磁兼容性表现。
　　此外，该器件具备较强的浪涌电流耐受能力，可达300A（8.3ms单半波），使其在电源启动、负载突变等瞬态工况下依然保持稳健。这一特性对于防止因瞬间过流导致的器件损坏至关重要，尤其在大功率DC-DC转换器和太阳能逆变器中尤为关键。综合来看，MBR20100CT-BP以其高效、可靠、紧凑的特点，成为现代高效率电源系统中不可或缺的关键元件。

MBR20100CT-BP广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源中作为输出整流二极管使用，利用其低VF特性提升整机效率；DC-DC转换器，如隔离式或非隔离式降压（Buck）、升压（Boost）及反激（Flyback）拓扑中，用作续流二极管或同步整流辅助路径，减少能量损耗；在光伏逆变器和UPS不间断电源系统中，作为防反接或箝位保护元件，确保能量单向流动并抑制电压尖峰。
　　在电池管理系统（BMS）和电动工具电源模块中，MBR20100CT-BP可用于电池充放电路径的隔离与保护，防止反向电流造成损害。其高浪涌电流能力也使其适用于电机驱动电路中的续流保护，尤其是在启动或急停过程中吸收感性负载释放的能量。
　　此外，在LED驱动电源、汽车电子辅助电源（非车载）以及电信设备供电单元中，该器件凭借其稳定的电气性能和宽泛的温度适应范围，能够满足长时间连续运行的需求。由于其符合RoHS指令且不含铅，也适用于对环保要求较高的消费类电子产品和绿色能源项目。总之，凡是对效率、热性能和可靠性有较高要求的中等电压（≤100V）整流场合，MBR20100CT-BP都是一个极具竞争力的选择。

STPS20H100CT
　　VS-20100CT
　　MBR20100CT
　　SR20100
　　FDL20H100