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CM100TU-12F 发布时间 时间:2025/9/29 18:00:11 查看 阅读:8

CM100TU-12F是一款由日本富士电机(Fuji Electric)生产的高功率工业用IGBT模块,广泛应用于大电流、高电压的电力电子变换系统中。该模块属于第六代IGBT技术产品,采用先进的沟槽栅+电场截止(Trench & Field Stop)结构设计,具有低导通压降、快速开关速度和优良的热稳定性等特点。CM100TU-12F为单管(Single IGBT)模块,内置一个IGBT芯片和一个反并联快速恢复二极管,适用于AC驱动、不间断电源(UPS)、逆变焊机、太阳能逆变器及工业电机控制等高可靠性要求的应用场景。该模块采用标准的螺钉式封装(Module Type),具备良好的散热性能和机械稳定性,额定电压为1200V,最大集电极电流可达100A,短时过载能力优异,适合在严苛工业环境下长期运行。此外,该模块还具备较高的抗电磁干扰能力和优秀的绝缘性能,通常配合专用驱动电路和散热器使用,确保系统安全可靠运行。

参数

型号:CM100TU-12F
  制造商:Fuji Electric
  器件类型:IGBT模块
  拓扑结构:单管(Single IGBT with Anti-Parallel Diode)
  最大集电极-发射极电压(Vces):1200V
  最大集电极电流(Ic):100A
  最大集电极脉冲电流(Icp):200A
  最大结温(Tj):150°C
  栅极-发射极电压范围(Vge):-20V 至 +20V
  导通饱和电压(Vce(sat) @ Ic=80A, Vge=15V):约1.75V
  开关时间(开通时间 Ton):约0.45μs
  开关时间(关断时间 Toff):约1.6μs
  热阻(Rth(j-c)):约0.15°C/W
  安装方式:螺钉式固定
  封装形式:Mini SKiiP 或类似工业标准模块封装

特性

CM100TU-12F所采用的第六代IGBT技术基于沟槽栅与电场截止层(Trench-FS)结构,显著降低了导通损耗和开关损耗之间的折衷矛盾,提升了整体能效。其内部IGBT芯片通过优化载流子分布和电场分布,实现了更低的Vce(sat),从而减少导通期间的功率损耗,特别适用于持续高负载运行的工业设备。同时,该模块内置的快速恢复二极管具有软恢复特性,能够有效抑制反向恢复电流尖峰和电压振荡,降低电磁干扰(EMI)并提高系统可靠性。
  该模块具备出色的热循环耐久性和抗疲劳性能,能够在频繁启停或温度剧烈变化的工况下保持稳定工作。其陶瓷基板(通常为氧化铝Al2O3)提供了良好的电气绝缘和导热性能,结合铜底板设计,使热量能够高效传导至外部散热器。此外,模块引脚布局经过优化,减少了内部寄生电感,有助于提升高频开关过程中的电压稳定性,防止因电压过冲导致器件损坏。
  CM100TU-12F支持宽范围的工作环境温度(通常-40°C至+125°C),并可在高达150°C的结温下安全运行,适合用于高温工业现场。其栅极结构对驱动信号的要求较为标准,推荐使用带负偏压关断(如+15V开,-5V至-10V关)的驱动电路,以增强抗噪声能力和防止误开通。模块还具备一定的短路耐受能力(通常几微秒级别),需配合快速保护电路实现系统级故障保护。整体而言,该器件在效率、可靠性和可维护性方面达到了工业级应用的高标准。

应用

CM100TU-12F广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。在交流变频驱动领域,常用于三相异步电机的逆变桥臂,实现精确的速度和转矩控制,适用于风机、水泵、压缩机等节能控制系统。在不间断电源(UPS)系统中,作为DC/AC逆变器的核心开关元件,承担将蓄电池直流电转换为纯净正弦波交流电的任务,保障关键设备供电连续性。该模块也常见于大功率逆变焊机中,用于构建高频逆变电路,提升焊接电弧稳定性并减小设备体积。
  在可再生能源系统中,CM100TU-12F可用于光伏并网逆变器的升压或逆变级,将太阳能电池板产生的直流电高效转换为电网兼容的交流电。此外,在感应加热、电镀电源、电动汽车充电模块以及工业电源等领域也有广泛应用。由于其高电压等级和较大电流容量,特别适合构建10kW至50kW级别的中等功率变换装置。系统设计时通常需配备合适的门极驱动器(如HCPL-316J、2ED系列等)、电流检测电路和过温保护机制,以充分发挥其性能并确保长期运行安全。

替代型号

2MBI100U4B-120
  F4-100R12KS4
  SKM100GB12T4
  FF100R12RT4

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CM100TU-12F参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.2V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)27nF @ 10V
  • 功率 - 最大350W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块