URB4815JMT-15W 是由 UnitedSiC(United Semiconductor Corporation)生产的一款 SiC(碳化硅)功率晶体管,属于功率 MOSFET 的一种。这款器件采用先进的 SiC 技术,具备优异的导通和开关性能,适用于高效率、高频和高功率密度的电力电子应用。URB4815JMT-15W 封装在高性能的 TO-247 封装中,具有良好的散热性能和可靠性。
类型:SiC MOSFET
漏源电压(Vds):650V
连续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):48mΩ
最大工作温度:175°C
封装类型:TO-247
栅极电荷(Qg):23nC
输入电容(Ciss):1040pF
反向恢复电荷(Qrr):0nC
URB4815JMT-15W 的 SiC MOSFET 结构赋予其极低的导通电阻和优异的开关性能,能够在高频下实现高效的能量转换。由于 SiC 材料的特性,该器件具有更高的热导率和耐高温能力,从而提高了系统的可靠性和稳定性。
该器件的 TO-247 封装不仅提供了良好的散热条件,还便于在 PCB 上安装和散热片的连接。此外,URB4815JMT-15W 具有低栅极电荷(Qg),使其在高频应用中表现出更低的开关损耗。其零反向恢复电荷(Qrr)特性也使得该器件在桥式电路中具有显著的优势,减少了交叉导通和反向恢复损耗。
URB4815JMT-15W 还具有优异的短路耐受能力和较高的工作温度范围,适用于各种苛刻的工业和汽车应用。由于其优异的性能,该器件被广泛用于 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动和电源模块等领域。
URB4815JMT-15W 主要应用于需要高效率、高频和高功率密度的电力电子系统中。常见的应用包括电动汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、服务器电源、工业电机驱动和电池管理系统(BMS)等。此外,该器件在混合动力和电动汽车的电力系统中也具有广泛的应用前景,能够有效提高系统的整体效率和可靠性。
C3M0065065D, SCT3080AL, SiC MOSFET 器件如 ROHM 的 SCT3080AL 或 Infineon 的 IMZA65R048M1H-EP