时间：2025/5/10 19:21:40
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TF110P04M 是一款基于沟槽技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力，适用于 DC-DC 转换器、同步整流、电源管理模块以及负载开关等应用。通过优化的芯片设计，TF110P04M 在提高效率的同时降低了功耗。
该 MOSFET 使用了先进的封装技术，确保其在高温环境下仍能保持稳定性能，并具备良好的散热特性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：110A
导通电阻（典型值）：0.5mΩ
栅极电荷：26nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
TF110P04M 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低导通损耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，使得其在高频开关应用中表现出色。
3. 高额定电流能力，支持大功率应用场景。
4. 宽工作温度范围，能够在极端环境下保持可靠性。
5. 先进的封装技术提供了出色的热管理和电气性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这款功率 MOSFET 特别适合需要高效能和高可靠性的电力电子设备。
TF110P04M 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源：如服务器电源、通信电源、不间断电源 (UPS) 等。
2. 电机驱动：用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。
3. DC-DC 转换器：特别是在高功率密度的应用场景下。
4. 同步整流：作为高效的整流元件替代传统二极管。
5. 负载开关：用于电池管理系统或保护电路。
6. 新能源领域：例如太阳能逆变器和电动车充电装置。
其高电流承载能力和快速开关特性使其成为这些高性能应用的理想选择。
IRFP2907Z
FDP158N04S
STP110N4LLH5
