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MBR10H200FCT 发布时间 时间:2025/8/14 21:08:29 查看 阅读:26

MBR10H200FCT是一款由ON Semiconductor生产的高电压肖特基整流器,专为高效能电源应用设计。该器件采用先进的平面肖特基势垒二极管技术,具备低正向电压降和快速开关特性,适用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。该器件采用TO-220封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适合广泛应用于工业电源、电信设备和消费类电子产品中。

参数

类型:肖特基二极管
  最大正向电流:10A
  最大反向电压:200V
  正向电压(典型值):0.55V @ 10A
  反向漏电流(最大值):10μA @ 150°C
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:TO-220

特性

MBR10H200FCT具备多项优异性能,使其在多种电源应用中表现出色。首先,其低正向压降(典型值为0.55V)显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。其次,该器件的快速恢复时间(trr)极短,几乎可以忽略不计,因此非常适合高频开关应用。此外,该器件具有出色的热稳定性,能够在高达175°C的结温下稳定工作,适应严苛的环境条件。
  MBR10H200FCT的封装设计优化了散热性能,TO-220封装便于安装在散热片上,提高热传导效率。其高浪涌电流承受能力也增强了器件在异常工作条件下的可靠性。此外,该器件的反向漏电流极低,在高温环境下依然保持良好的性能,有助于减少静态损耗并提升系统稳定性。
  在可靠性方面,MBR10H200FCT通过了严格的工业标准测试,具备良好的长期稳定性,适用于要求高可靠性和长寿命的工业和通信设备。同时,该器件具有较强的抗电磁干扰(EMI)能力,有助于提升系统的整体抗干扰性能。

应用

MBR10H200FCT广泛应用于多种电源转换系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电池充电器和不间断电源(UPS)等。由于其低正向压降和高效率特性,该器件特别适合用于高频率、高效率的整流电路中。
  在通信设备中,MBR10H200FCT可用于电源模块的次级整流电路,以提高整机效率和稳定性。在工业控制和自动化系统中,该器件可用于电机驱动和电源管理系统,提供高效、稳定的整流功能。
  此外,该器件还可用于新能源应用,如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块,满足高电压和高效率的需求。在消费类电子产品中,如高端电源适配器和LED照明驱动电源,MBR10H200FCT也能提供优异的性能表现。

替代型号

MBR10H200FG, MBR10U200FCT

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