SPPB630101 时间：2025/7/28 12:14:03 阅读：7

SPPB630101是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用，如电源管理、电机控制和负载开关等。该器件采用先进的沟槽栅技术和优化的芯片设计，提供了优异的导通电阻（Rds(on)）性能和热稳定性。SPPB630101具有高耐压能力和较大的连续漏极电流容量，适用于需要高可靠性和高性能的工业和汽车电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（最大值，Vgs=10V时）
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　安装类型：表面贴装

特性

SPPB630101具有多个关键特性，使其适用于高性能功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用先进的沟槽栅技术，提高了开关速度和稳定性，减少了开关损耗。此外，SPPB630101具备高耐压能力，漏源电压（Vds）可达60V，适用于多种中高压应用。该器件的封装设计优化了热管理性能，使其能够在高电流负载下保持较低的工作温度，提高了器件的可靠性和寿命。SPPB630101还具有良好的抗雪崩能力和高能量耐受性，适用于电机驱动和负载开关等高可靠性要求的应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。

应用

SPPB630101广泛应用于各种高功率和高可靠性电子系统中。常见的应用包括电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）中的电机控制和电池管理系统、工业自动化设备中的电机驱动器、电源转换器（如DC-DC转换器和AC-DC电源模块）、以及高功率负载开关等。由于其优异的导通电阻和热管理性能，SPPB630101也常用于需要高效能和高可靠性的消费类电子产品中，如高性能电源适配器和大功率LED照明系统。此外，该器件还可用于不间断电源（UPS）、光伏逆变器和储能系统等可再生能源应用中，提供高效的功率转换和管理。