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ZX3CD1S1M832TA 发布时间 时间:2023/9/1 17:51:37 查看 阅读:479

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
晶体管类型:PNP + 二极管(隔离式)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 150mA, 4A
电流 - 集电极截止(最大):25nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):180 @ 2.5A, 2V
功率 - 最大:3W
频率 - 转换:110MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-MLP
包装:剪切带 (CT)

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ZX3CD1S1M832TA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP + 二极管(隔离式)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 150mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大)25nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 2.5A,2V
  • 功率 - 最大3W
  • 频率 - 转换110MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-MLP
  • 供应商设备封装8-MLP/DFN(3x2)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZX3CD1S1M832TATR