时间：2025/8/2 6:45:18
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AP09T10GK-HF 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）制造的功率MOSFET晶体管，采用先进的Trench沟槽技术，以实现高效率和低导通损耗。该器件属于N沟道MOSFET，适用于各种功率转换和电源管理应用。
类型：N沟道
漏极-源极电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：9A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（最大值，不同Vgs条件下可能变化）
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功耗（Pd）：2.5W
AP09T10GK-HF MOSFET具有低导通电阻特性，有助于减少功率损耗，提高能效。其Trench结构设计提升了导通性能和热稳定性。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬态过电压和电流冲击。该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器应用。
此外，该器件的封装形式为TO-252，具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），适合自动化生产流程。其宽广的工作温度范围使其适用于工业级和汽车电子应用环境。同时，AP09T10GK-HF 还具备较高的可靠性，符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
AP09T10GK-HF 广泛应用于各种电源管理系统，包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动电路、LED照明电源以及电池管理系统。此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备、消费类电子产品及车载电子设备中的功率控制模块。
AON6140, SiSS14CN, FDS6680, NTD10N10CL
