时间：2025/6/5 22:02:15
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SI3442BDV-T1-E3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司旗下品牌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高频 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流以及电池保护等应用。其封装形式为热增强型 ThinPAK 3x3-8L，能够提供出色的散热性能。
SI3442BDV-T1-E3 的设计旨在优化效率和减小系统尺寸，同时保持高可靠性和耐用性，是现代电子设备中高效功率管理的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.9A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：6mΩ
栅极电荷：15nC
输入电容：1360pF
总热阻（结到外壳）：35°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率传输，并降低了功耗。
2. 高速开关性能使得该 MOSFET 适用于高频应用，减少开关损耗。
3. 小型化 ThinPAK 3x3-8L 封装节省了 PCB 空间，同时具备良好的散热能力。
4. 提供优异的雪崩能力和抗静电能力 (ESD)，提高了系统的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器
2. 便携式电子设备中的负载开关
3. 高效 DC-DC 转换器
4. 电池管理系统 (BMS)
5. 各类消费类电子产品中的功率管理模块
SI3443BDV-T1-E3
IRL540N
FDP5576
AON7714
