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SI3442BDV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/5 22:02:15 查看 阅读:32

SI3442BDV-T1-E3 是一款由 Siliconix(现为 Vishay 公司旗下品牌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高频 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流以及电池保护等应用。其封装形式为热增强型 ThinPAK 3x3-8L,能够提供出色的散热性能。
  SI3442BDV-T1-E3 的设计旨在优化效率和减小系统尺寸,同时保持高可靠性和耐用性,是现代电子设备中高效功率管理的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:7.9A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):6mΩ
  栅极电荷:15nC
  输入电容:1360pF
  总热阻(结到外壳):35°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效的功率传输,并降低了功耗。
  2. 高速开关性能使得该 MOSFET 适用于高频应用,减少开关损耗。
  3. 小型化 ThinPAK 3x3-8L 封装节省了 PCB 空间,同时具备良好的散热能力。
  4. 提供优异的雪崩能力和抗静电能力 (ESD),提高了系统的鲁棒性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器
  2. 便携式电子设备中的负载开关
  3. 高效 DC-DC 转换器
  4. 电池管理系统 (BMS)
  5. 各类消费类电子产品中的功率管理模块

替代型号

SI3443BDV-T1-E3
  IRL540N
  FDP5576
  AON7714

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SI3442BDV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3442BDV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C57 毫欧 @ 4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds295pF @ 10V
  • 功率 - 最大860mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3442BDV-T1-E3TR