类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为5.2mΩ（典型值4.1mΩ）
　　功耗（Pd）：140W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：PowerPAK SO-8

LTL42NKGT MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力和优异的热性能使其在高功率应用中表现出色。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持逻辑电平驱动，适用于多种控制电路。此外，LTL42NKGT具有快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器中。其封装形式为PowerPAK SO-8，体积小巧，便于PCB布局，并具备良好的散热性能。
　　LTL42NKGT的高可靠性和优异的动态性能使其成为工业电源、计算机电源、服务器电源、电池管理系统和电机控制等应用中的理想选择。该器件在极端温度条件下仍能保持稳定运行，适用于严苛的工作环境。其栅极氧化层经过优化设计，提高了抗静电能力和耐压性能，降低了在使用过程中发生损坏的风险。

LTL42NKGT主要应用于以下领域：电源管理模块、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器和计算机电源供应器、工业自动化设备以及各种高效率功率转换系统。由于其低导通电阻和高频响应特性，特别适合用于要求高效率和高可靠性的开关电源设计中。

SiR142DP-T1-GE3, FDS4435B, SQ4435E