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AO4443 发布时间 时间:2025/6/16 16:43:20 查看 阅读:4

AO4443是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道MOSFET。它采用超小型DFN2020-6封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能电源管理应用,如负载开关、DC-DC转换器、同步整流器以及便携式电子设备中的电池管理等。
  该器件在设计上注重提高效率和减小体积,其出色的电气性能使其成为众多现代电子产品的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻:8mΩ
  栅极电荷:7nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃至150℃
  封装类型:DFN2020-6

特性

AO4443具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻确保了较小的传导损耗,从而提高了整体效率。
  2. 小型化的DFN2020-6封装使其非常适合空间受限的应用环境。
  3. 快速的开关速度减少了开关损耗,提升了高频操作下的表现。
  4. 高度可靠的电气性能和宽泛的工作温度范围使得它能够在多种条件下稳定运行。
  5. 与传统的SOT-23封装相比,其占位面积更小,热性能更佳。

应用

AO4443广泛应用于以下几个领域:
  1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关和电池保护电路。
  2. 各类DC-DC转换器中的同步整流管或开关管。
  3. 电机驱动器和LED驱动器中的功率控制元件。
  4. 任何需要高效能和紧凑型解决方案的电源管理系统。
  由于其优越的性能和小巧的设计,AO4443特别适合于消费类电子产品和工业控制领域的应用。

替代型号

AOZ4443LH, AOZ4443LS, IRF7832

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AO4443参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.6V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1175pF @ 20V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)