时间：2025/8/1 1:34:14
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WR-30P-VF50-N1 是一款由日本电气公司（NEC）制造的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），主要用于微波和射频放大器应用。该器件工作在30GHz频段，适用于高频率、高性能的通信系统。
类型：GaAs FET
工作频率：26.5GHz 至 40GHz
输出功率：典型值为 200mW（在30GHz时）
增益：典型值为 10dB（在30GHz时）
漏极电流：最大 100mA
封装类型：表面贴装（SMD）
阻抗：50Ω
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
WR-30P-VF50-N1 是一款高性能的毫米波段 GaAs FET，专为在30GHz频段运行的射频和微波电路设计。该器件采用了先进的砷化镓技术，提供了良好的高频性能和稳定性。其主要特性包括高输出功率、良好的线性度、低噪声以及在高频下保持稳定增益的能力。
这款晶体管的封装设计适合高频应用，能够有效减少寄生效应，确保在30GHz以上的频段仍具有优异的性能。此外，它具有良好的热稳定性和可靠性，适合在苛刻的工作环境中使用，如工业和通信设备中的射频放大模块。
由于其高频率操作能力，WR-30P-VF50-N1 常用于测试设备、卫星通信系统、雷达系统和毫米波段的无线基础设施。该器件在设计时考虑了高频电路的匹配需求，通常可以直接集成到标准的50Ω射频系统中，从而简化了设计流程并提高了系统的整体性能。
WR-30P-VF50-N1 GaAs FET 主要用于需要在30GHz频段工作的高性能射频和微波系统。典型应用包括测试和测量设备中的高频信号放大器、卫星通信链路的发射和接收模块、毫米波段雷达系统以及5G通信基础设施中的射频前端组件。其高频率能力和良好的线性度也使其适用于精密测量仪器和高频信号发生器的设计。
HMC431BF10 Hittite Microwave Corporation 的 GaAs MMIC 放大器，适用于类似高频应用。
