时间：2025/6/6 0:50:52
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RSD100N10 TL 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 封装。该器件适用于需要高效能开关和低导通电阻的应用场景，广泛用于消费电子、工业控制以及电源管理领域。
其主要功能是通过栅极电压来控制漏极和源极之间的电流流动，具有快速开关速度和较低的功耗特性，能够满足多种电路设计需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：140mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：390pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RSD100N10 TL 具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高雪崩击穿能量，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型化封装（TO-252），便于 PCB 布局设计。
5. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和负载切换。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 电池保护电路。
5. 各种消费类电子产品中的电源开关组件。
IRFZ44N
STP16NF10L
FQP16N10
AO3400
