时间：2025/6/22 0:45:16
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LC2632CS8TR是基于铁电随机存取存储器（FRAM）技术的非易失性存储芯片，具有高速写入、低功耗和高耐久性的特点。它提供262,144位（32K x 8）的存储容量，采用8引脚SOIC封装形式。这款存储芯片能够在断电后保存数据，并支持快速读写操作，适用于需要频繁数据更新的应用场景。
存储容量：262,144位（32K x 8）
工作电压：2.7V至3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：8引脚SOIC
数据保留时间：超过10年
写入耐久性：超过10^12次
LC2632CS8TR使用铁电存储技术，相比传统EEPROM或闪存具备更高的写入速度和更长的使用寿命。其无需写入延迟，可实现瞬间数据保存。此外，该芯片还具有较低的工作电流和待机电流，非常适合电池供电设备。由于其非易失性特性，在电源中断时仍能可靠地保存数据。
它支持字节级访问模式，允许用户对任意地址进行单独读写操作，而不需要擦除整个区块。另外，该芯片内置了硬件写保护功能，可通过特定引脚配置来防止意外写入或修改。
LC2632CS8TR广泛应用于工业控制、医疗设备、计量仪器、智能家居以及消费类电子产品中。例如在数据记录仪中用于实时保存测量值；在POS终端中用作交易记录缓存；或者在自动化系统中保存关键配置参数。同时，由于其优异的抗辐射性能，也适合航天航空领域的特殊需求。
LC2632A-TR, MB85RC256V, FM25L16B
