时间：2025/9/2 20:31:27
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MFE133 是一款由 STMicroelectronics 生 产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、低功耗和高速开关应用设计，适用于各种电源管理及功率控制电路。MFE133 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）以及出色的热性能，能够在高频率下稳定工作。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，适用于广泛工业及消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤0.18Ω @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220、DPAK（根据具体版本）
MFE133 MOSFET 具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）使其在导通状态下损耗极小，有助于提高能效并减少散热需求。该器件支持高达 5A 的连续漏极电流，适用于中等功率应用。其最大漏源电压为 60V，适合用于多种电源转换器和电机控制电路。
此外，MFE133 的栅源电压范围为 ±20V，提供了良好的栅极控制稳定性，并能兼容多种驱动电路。该器件的开关速度较快，适合用于高频开关电路，从而减小外围元件尺寸，提高整体系统效率。其封装形式（如 TO-220 或 DPAK）具备良好的散热能力，能够适应较为严苛的工作环境。
MFE133 的另一个显著特性是其高可靠性与耐用性。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有良好的热稳定性和抗过载能力，适用于长期运行的工业设备及电源系统。
MFE133 主要应用于以下领域：电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路、电池供电设备、工业自动化设备、LED 驱动器、电源适配器等。由于其低导通电阻和良好的热性能，MFE133 在需要高效能、高稳定性的电路设计中表现出色，是许多中功率应用的理想选择。此外，该器件也广泛用于汽车电子系统、便携式设备和消费类电子产品中的电源管理模块。
IRFZ44N, FDPF6N60, STD5NK60Z, STP5NK60Z
