型号：UVZ2D3R3MED
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　封装类型：SOD-123FL
　　齐纳电压（Vz）：3.3V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：500mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　引脚数：2
　　极性：齐纳二极管（阴极标记）
　　反向漏电流（IR）：5μA 最大值 @ VR = 1V
　　动态阻抗（Zzt）：10Ω 典型值 @ IZT = 5mA
　　热阻（RθJA）：350K/W 典型值
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UVZ2D3R3MED齐纳二极管具备优异的电气特性和物理性能，适用于多种精密电压控制场景。其核心特性之一是稳定的齐纳击穿电压，标称为3.3V，在测试电流为5mA时具有±5%的电压容差，确保了在不同生产批次间的电压一致性，这对于需要精确参考电压的应用至关重要。该器件在反向击穿区表现出良好的电压调节能力，即使在负载电流发生变化的情况下，也能维持输出电压的稳定性。这得益于其较低的动态阻抗（Zzt），典型值仅为10Ω，意味着当通过齐纳二极管的电流发生微小变化时，电压的变化幅度也非常小，从而提升了系统的整体稳定性。
　　另一个重要特性是其高功率处理能力。尽管采用的是微型SOD-123FL封装，但UVZ2D3R3MED仍能承受高达500mW的最大连续功率耗散。这种高功率密度设计使其能够在有限的空间内实现高效的能量管理，特别适用于电池供电设备或空间受限的嵌入式系统。同时，该器件具有出色的热性能，热阻RθJA典型值为350K/W，表明其能够有效地将内部产生的热量传导至PCB，避免局部过热导致性能下降或器件损坏。
　　UVZ2D3R3MED还具备宽泛的工作温度范围，从-55°C到+150°C，使其可在极端环境条件下可靠运行，包括工业控制、汽车电子以及户外通信设备等应用场景。此外，其反向漏电流极低，在室温下VR=1V时最大仅为5μA，有助于降低待机功耗，延长电池寿命。器件的封装符合J-STD-020标准，适用于无铅回流焊工艺，支持自动化贴片生产，提高了制造效率和良率。最后，该齐纳二极管具有良好的长期稳定性，经过高温反向偏置（HIRB）测试验证，确保在长时间运行中电压漂移最小，保障系统长期运行的可靠性。

UVZ2D3R3MED广泛应用于需要稳定参考电压或过压保护的电子电路中。常见用途包括低压电源管理系统中的电压基准源，例如在DC-DC转换器、LDO稳压器或传感器信号调理电路中作为精准的参考点。由于其3.3V的齐纳电压恰好匹配许多现代数字逻辑电路（如3.3V MCU、FPGA或ASIC）的工作电压，因此可被用作电平检测或电源监控电路的一部分，防止因电压异常而导致系统误动作。
　　在模拟电路中，该器件可用于偏置设置或运放反馈网络中的电压箝位，以限制信号摆幅，防止后级电路饱和或损坏。此外，它也常用于ESD（静电放电）保护和瞬态电压抑制（TVS）电路中，与其它保护元件配合使用，吸收突发的高压脉冲，保护敏感的半导体器件。在电池供电设备如智能手机、可穿戴设备、物联网终端中，UVZ2D3R3MED凭借其小尺寸和低功耗特性，成为理想的电压保护解决方案。
　　工业控制系统中，该齐纳二极管可用于PLC模块、数据采集单元或接口电路中的电压限幅和噪声滤波。在汽车电子领域，尽管需满足更严格的AEC-Q101认证，但在非安全关键的辅助电路中仍可作为临时保护或调试参考使用。此外，该器件也可用于LED驱动电路中的电压调节，确保LED亮度的一致性。总之，UVZ2D3R3MED凭借其紧凑设计、稳定性能和高可靠性，适用于消费电子、通信设备、工业自动化、汽车电子等多种领域的电压基准与保护应用。

BZX84C3V3 SOD-123
　　MMSZ5226B SOD-123
　　ZMM3V3 SOD-123
　　PME330-3.3 SOD-123