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KA1L0380RTU 发布时间 时间:2025/8/25 0:46:58 查看 阅读:10

KA1L0380RTU是一款由三星(Samsung)生产的高压离线式PWM控制器,常用于开关电源(SMPS)设计中。该芯片集成了一个800V的高压功率MOSFET,适用于反激式(Flyback)拓扑结构的电源转换器。KA1L0380RTU采用绿色模式(Green Mode)设计,能够在轻载或无负载情况下自动进入低功耗模式,从而提高能效并减少待机功耗。该器件封装形式为DIP-7,适用于各种低成本、高效率的电源应用。

参数

类型:PWM控制器集成MOSFET
  拓扑结构:反激式(Flyback)
  集成MOSFET:800V,3.8A
  最大输出功率:约15W(反激式)
  工作频率:65kHz
  启动电流:<10μA
  待机电流:<1mA
  封装类型:DIP-7
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  电源电压范围:85VAC至265VAC
  保护功能:过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)

特性

KA1L0380RTU具备高效节能的特性,其集成的800V高压MOSFET可减少外部元件数量,简化电源设计。芯片内部集成振荡器和PWM控制器,支持固定频率运行,并通过频率抖动技术降低EMI干扰。该器件支持绿色模式,能够在轻载或空载时自动降低开关频率,显著减少待机功耗。此外,KA1L0380RTU内置多种保护机制,包括过载保护、过压保护、欠压锁定以及过热保护,确保系统在异常情况下的稳定性和安全性。其DIP-7封装形式适用于通孔插装工艺,具有良好的散热性能。
  该芯片在设计上优化了开关损耗和导通损耗,从而提高了整体转换效率。它适用于宽范围的交流输入电压(85VAC至265VAC),能够适应全球不同地区的电网标准。此外,KA1L0380RTU具有较低的启动电流和待机电流,有助于满足严格的能源之星(Energy Star)标准。其控制方式为电流模式控制,提供良好的动态响应和稳定性。整体上,该芯片非常适合用于低成本、中低功率的开关电源设计,如适配器、充电器、家电电源模块等。

应用

该芯片广泛应用于各种开关电源(SMPS)设备中,如手机充电器、笔记本适配器、LED驱动电源、家用电器电源模块、智能电表电源、网络路由器电源等。此外,KA1L0380RTU也适用于需要高能效、低待机功耗的绿色电源设计场景。

替代型号

FSDM311、VIPER12A、LNK613DG、KA5L0380R、SG6848

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KA1L0380RTU参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 封装 / 箱体TO-220F-4
  • 封装Tube
  • 安装风格Through Hole