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KTC4375-GR 发布时间 时间:2025/12/28 15:45:35 查看 阅读:14

KTC4375-GR 是一款由 KEC(韩国电子部件公司)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于需要高效率和高性能的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点,适合用于电源管理、DC-DC 转换器和负载开关等应用。KTC4375-GR 采用 SOT-23 封装,适用于表面贴装技术(SMT),便于在紧凑的电路板上使用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):20V
  连续漏极电流(ID):150mA
  导通电阻(RDS(on)):1.5Ω(典型值)
  功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-23

特性

KTC4375-GR 具有低导通电阻的特点,这使得它在导通状态下能够减少功率损耗并提高整体系统效率。由于其低 RDS(on),该器件能够在高电流应用中保持较低的温升,从而提高了系统的热稳定性和可靠性。
  此外,KTC4375-GR 的高耐压能力(VDS 为 30V)使其能够承受较高的电压应力,适用于各种电源管理应用。其栅极驱动电压范围较宽(VGS 为 20V),允许使用不同的驱动电路来控制器件的工作状态。

应用

KTC4375-GR 广泛应用于多种电子设备和系统中,包括电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备。在电源管理模块中,它用于高效能的电压调节和能量转换。在 DC-DC 转换器中,KTC4375-GR 可以帮助实现高效的直流电压转换,从而提高设备的整体性能。作为负载开关,它可以控制负载的通断状态,实现节能和保护功能。此外,在电池供电设备中,该器件能够有效管理电池的输出功率,延长设备的续航时间。

替代型号

2N7002, BSS138

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