时间：2025/5/29 17:29:38
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SI4933DY-T1-E3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技术。该器件适用于高频开关应用，能够提供较低的导通电阻和较高的效率。其小型化的封装使其非常适合于空间受限的设计场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。
这款 MOSFET 具有出色的开关性能，支持高达 20V 的漏源电压（VDS），并能在大电流条件下保持低损耗特性。此外，它还具备快速开关速度和低栅极电荷，有助于减少开关损耗。
最大漏源电压（VDS）：20V
连续漏极电流（ID）：5.6A
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷（Qg）：13nC（典型值）
输入电容（Ciss）：185pF（典型值）
总电容（Crss）：17pF（典型值）
输出电容（Coss）：38pF（典型值）
功耗：1.2W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PowerPAK? 1212-8
SI4933DY-T1-E3 提供了超低的导通电阻 RDS(on)，从而降低了导通损耗，并提升了整体系统效率。
该器件采用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，确保了更小的芯片面积和更高的电流密度。
其优化的栅极电荷设计使其能够实现快速开关，从而降低开关损耗。
该 MOSFET 支持高频率运行，适合于各种开关模式电源 (SMPS) 应用。
同时，由于其工作温度范围宽广，因此能够在极端环境下稳定运行。
PowerPAK? 1212-8 封装具有出色的热性能和电气性能，适合紧凑型设计需求。
该器件广泛应用于多种领域，包括但不限于：
- 同步降压转换器中的主开关或同步整流开关
- 便携式电子设备中的负载开关
- 工业控制及自动化系统中的电机驱动
- 电池保护电路
- 开关模式电源 (SMPS)
- LED 驱动器
- 数据通信和电信设备中的功率管理模块
