时间：2025/5/29 21:31:41
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SEDFN03V4是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用超小型DFN封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换应用。它主要设计用于需要高效率和小尺寸解决方案的场景，例如电源管理、负载开关以及便携式电子设备中的电池保护电路。
SEDFN03V4因其出色的性能表现，被广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及其他需要高效功率管理的领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：75mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：10nC（典型值）
输入电容：160pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：DFN2020-6
SEDFN03V4具有以下显著特性：
1. 低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 小型DFN封装，节省PCB空间，适合紧凑型设计。
3. 快速开关速度，降低开关损耗，提升高频应用性能。
4. 较宽的工作温度范围，确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 高静电放电（ESD）防护能力，增强器件稳定性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
SEDFN03V4适用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的功率级开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 消费类电子产品的过流保护电路。
5. 工业控制系统的功率管理模块。
6. 通信设备中的信号切换与功率调节电路。
AO3400
IRLML6402
FDMQ8203
