时间：2025/8/17 0:56:21
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TP9012NND03是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率、高频开关应用。该器件采用先进的沟槽式栅极结构，提供较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了在高电流应用中的功率损耗。该MOSFET通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电源管理及电池供电设备等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：80A（在Tc=25°C时）
最大导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（当Vgs=10V时）
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C至150°C
最大功耗(Pd)：100W
TP9012NND03具备优异的导通性能和高频开关能力，主要得益于其低导通电阻（Rds(on)）特性。该器件在Vgs为10V时，Rds(on)最大值仅为4.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其N沟道结构设计允许在较低的栅极电压下实现高电流驱动能力，适用于需要高效率的电源转换系统。
此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和热稳定性。其TO-252（DPAK）封装形式支持良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。TP9012NND03还具有较低的开关损耗，支持高频工作，从而减小外围元件的体积，提高整体系统性能。
TP9012NND03广泛应用于需要高效能、高电流开关能力的电力电子系统中。常见的应用场景包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、电源供应器以及各类工业自动化设备中的功率控制模块。此外，由于其良好的热稳定性和高电流承载能力，它也适用于汽车电子系统中的电源管理单元和电动工具中的驱动电路。
SiR872DP-T1-GE3, FDS8858, IPP085N03L G
