时间：2025/8/15 15:50:59
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NFHC06402ADTPF 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高频率和高效率的电源转换应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理系统等应用场景。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V 时为 4.0mΩ，@Vgs=4.5V 时为 5.8mΩ
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：PowerPAK SO-8 双散热焊盘
NFHC06402ADTPF 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现卓越。
首先，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构，有效降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。在 Vgs=10V 的条件下，其导通电阻仅为 4.0mΩ，而在较低的 Vgs=4.5V 下，导通电阻仍能保持在 5.8mΩ 左右，这意味着它可以在较低栅极驱动电压下仍保持良好的性能，适用于多种控制方案。
其次，NFHC06402ADTPF 支持高达 40A 的连续漏极电流，具备较强的电流承载能力。其最大漏源电压为 60V，适用于中低压功率转换应用。此外，该器件的最大栅源电压为 ±20V，具备良好的栅极保护能力，防止因过高的驱动电压而损坏器件。
该 MOSFET 的封装形式为 PowerPAK SO-8 双散热焊盘，不仅体积小巧，还具备良好的热管理性能。这种封装设计有助于提高散热效率，确保在高功率工作条件下器件的稳定性和可靠性。
最后，NFHC06402ADTPF 的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适应各种严苛环境条件，适合工业级和汽车电子应用。其快速的开关特性和低输入电容（Ciss）也有助于降低开关损耗，提高系统的动态响应能力。
NFHC06402ADTPF 被广泛应用于各种高性能功率电子系统中，包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、服务器电源、电信设备电源以及汽车电子系统等。由于其高效率、低导通电阻和良好的热管理性能，该器件特别适合用于高频率开关电源设计，能够有效提升系统效率并减少热损耗。此外，其宽广的工作温度范围也使其在汽车和工业环境中表现出色。
Si4410DY-T1-GE3, IRF7493TRPBF, FDS4410A
