型号：UJB0L333MHD
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　器件类型：双N沟道JFET阵列
　　封装类型：SOT-23-4（含PowerPAD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大漏源电压（VDS）：25V
　　最大栅源电压（VGS）：-25V
　　连续漏极电流（ID）：30mA（每通道）
　　跨导（gm）：典型值 33mS（@ ID = 1mA）
　　栅极漏电流（IGSS）：最大 1nA（@ VGS = -20V, TA = 25°C）
　　截止频率（fT）：典型值 100MHz
　　输入电容（Ciss）：典型值 8pF
　　输出电容（Coss）：典型值 3pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值 1.5pF
　　热阻（RθJA）：约 250°C/W（依赖PCB布局）
　　匹配精度（Δgm/gm）：±5% 典型值
　　阈值电压匹配：ΔVGS(th) < 5mV（典型）

UJB0L333MHD的核心特性之一是其卓越的跨导匹配性能，这使得它在构建差分放大器或平衡调制电路时能够显著降低偶次谐波失真并提高共模抑制比（CMRR）。该器件的两个JFET在晶圆级生产过程中经过激光修整，确保了电气参数的高度一致性，尤其是在跨导（gm）和阈值电压（VGS(th)）方面表现出色。这种精确匹配减少了外部补偿元件的需求，简化了电路设计流程，并提升了整体系统的稳定性与可重复性。此外，良好的温度跟踪能力意味着即使在环境温度变化较大的情况下，两个通道之间的增益偏差仍能保持在较低水平，这对精密测量系统尤为重要。
　　另一个关键特性是其低噪声表现，尤其是在音频频率范围内，UJB0L333MHD展现出远优于大多数MOSFET的信噪比性能。其1/f噪声拐点频率较低，配合极低的栅极漏电流（通常小于1nA），使其成为高阻抗传感器信号调理的理想选择。例如，在光电探测器或麦克风前置放大器中，能够最大限度地保留原始信号细节，减少背景噪声引入。
　　该器件还具备优良的高频响应能力，截止频率可达100MHz以上，支持宽带信号处理应用。结合小信号增益带宽积的优势，可用于射频前端或高速采样保持电路中。SOT-23 PowerPAD封装不仅节省空间，还能通过底部焊盘高效散热，允许器件在较高功耗下持续运行而不发生热失效。此外，器件内部无寄生双极结效应，降低了开关瞬态引起的电荷注入问题，提升了动态性能。最后，UJB0L333MHD具有较高的ESD耐受能力（HBM模型下典型值超过2kV），增强了在实际装配和现场使用中的鲁棒性。

UJB0L333MHD常用于需要高精度、低噪声和良好匹配特性的模拟电路中。一个典型应用场景是作为仪表放大器的输入级，其中两个匹配的JFET构成差分对，提供极高输入阻抗和极低偏置电流，适用于生物电信号采集如心电图（ECG）、脑电图（EEG）等医疗设备。在这种应用中，微弱的生理信号极易受到噪声干扰，而UJB0L333MHD的低输入电流噪声和优异共模抑制能力可有效提取有用信号。
　　在高端音频设备中，该器件被广泛用于前置放大器和线路驱动器设计，特别是在真空管替代方案或“类胆”音色塑造电路中，因其自然的非线性失真特性而受到音响工程师青睐。其平滑的增益曲线和低交越失真有助于还原音乐细节，提升听感体验。
　　此外，UJB0L333MHD也适用于测试与测量仪器，如示波器探头缓冲器、锁相放大器前端和数据采集系统中的信号调理模块。在这些应用中，快速响应能力和宽频带特性确保了信号保真度。
　　其他用途包括工业传感器接口（如压力、温度、气体传感器）、可编程增益放大器（PGA）中的增益控制单元、以及高速模拟开关或采样保持电路中的有源负载元件。由于其宽温域工作能力和高可靠性，该器件也可部署于汽车电子控制系统或航空航天传感系统中，在恶劣环境下维持稳定性能。

JFE2140
　　LSK389
　　UJB3333MHD
　　PN4117A