KHB9D0N50F 时间：2025/12/28 15:13:19 阅读：12

KHB9D0N50F 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，适用于高电流和高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽工艺制造，具有低导通电阻和优异的热性能，适合用于电源转换、电机控制和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：9A
　　最大漏源电压：500V
　　导通电阻(Rds(on))：0.45Ω
　　栅极电荷(Qg)：20nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

KHB9D0N50F 具备以下关键特性：
　　1. **低导通电阻**：Rds(on)为0.45Ω，有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　2. **高耐压能力**：500V的漏源电压额定值，使其适用于中高功率应用。
　　3. **高电流能力**：最大漏极电流为9A，适合处理较大的负载电流。
　　4. **快速开关性能**：具备较低的栅极电荷（Qg为20nC），支持高频开关操作，减少开关损耗。
　　5. **良好的热稳定性**：TO-220封装提供良好的散热性能，确保在高负载下稳定运行。
　　6. **可靠性高**：采用东芝先进的沟槽技术，提高器件的耐用性和长期稳定性。
　　7. **广泛的工作温度范围**：支持-55°C至150°C的工作温度，适应各种严苛环境条件。

应用

KHB9D0N50F 适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
　　1. **电源转换器**：如DC-DC转换器、AC-DC电源模块，用于提高转换效率并减少发热。
　　2. **电机驱动器**：在直流电机或步进电机控制系统中作为功率开关，实现高效调速与精确控制。
　　3. **负载开关**：用于智能功率管理系统的负载切换，如电池供电设备或工业控制系统。
　　4. **照明系统**：应用于LED驱动器或高强度放电灯（HID）镇流器中，提供稳定的开关控制。
　　5. **家电控制**：如电风扇、洗衣机等家电中的变频器或功率调节电路。
　　6. **工业自动化**：在PLC、继电器替代方案或工业机器人中用于高效功率切换。