时间：2025/7/5 18:01:15
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IPB037N06N3 G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和负载开关等需要高效能功率管理的场合。
这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著提高系统效率并降低功耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.7A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：8nC
总热阻 (结到环境)：140°C/W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
IPB037N06N3 G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 快速开关性能，适用于高频应用。
3. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常情况下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 小型封装设计，节省电路板空间。
这些特点使得该 MOSFET 在各种工业和消费类电子应用中表现出色，尤其是在需要高效功率转换和小型化设计的场景下。
IPB037N06N3 G 广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和适配器。
2. 各种 DC-DC 转换器拓扑结构，如降压、升压和反激式转换器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理和保护电路。
5. 负载开关和保护电路。
其出色的性能使其成为许多功率敏感型应用的理想选择。
IPP037N06N3G, IRF530
