时间：2025/5/22 20:06:37
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DMG4413LSS-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道逻辑电平MOSFET，采用微型DFN2016-8封装。该器件设计用于需要低导通电阻和高效率开关性能的应用场景。其优化的栅极驱动特性使其非常适合便携式设备、消费电子以及工业应用中的负载开关、同步整流和DC/DC转换等功能。
该型号以其小尺寸和高性能著称，适合对空间要求严格且需要高效能的电路设计。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.9A
导通电阻(Rds(on))：15mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷(Qg)：1.8nC
总功耗(Ptot)：170mW
工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
DMG4413LSS-13具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低功率损耗并提升整体系统效率。
2. 支持宽范围的Vgs操作电压，兼容常见的逻辑电平信号（如3.3V和5V）。
3. 小巧的DFN2016-8封装，面积仅为2mm x 1.6mm，非常适合紧凑型设计。
4. 高可靠性和耐热性，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
5. 符合RoHS标准，绿色环保，满足现代电子产品的合规性要求。
这款MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. 同步整流电路，用以提高电源转换效率。
3. DC/DC转换器中作为开关元件。
4. 消费类电子产品中的电池管理及保护电路。
5. 工业控制领域内的小型化、高效率开关解决方案。
由于其出色的性能和小巧的外形，DMG4413LSS-13成为了众多设计工程师的理想选择。
DMG4413LSE-13
DMG4413LSD-13
