EDZTE618.2B 时间：2025/12/25 12:16:39 阅读：16

EDZTE618.2B是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装齐纳二极管，属于EDZ系列。该器件专为低功率稳压和电压参考应用而设计，广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制电路中。其额定齐纳电压为18.2V，在测试电流条件下具有稳定的电压调节性能，适用于需要精确电压钳位或基准电压的场合。EDZTE618.2B采用小型SOD-523（SC-79）封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，有助于减小整体系统体积。该齐纳二极管具备良好的热稳定性和长期可靠性，能够在较宽的温度范围内保持性能一致性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其优异的电气特性和小尺寸封装，EDZTE618.2B常用于电源管理单元、信号调理电路、过压保护网络以及微控制器接口中的电平转换与保护功能。
　　这款齐纳二极管在制造过程中采用了先进的半导体工艺，确保了批次间参数的一致性，降低了设计工程师在进行电路调试时的不确定性。其低动态电阻特性使其在负载变化时仍能维持较为稳定的输出电压，提高了系统的整体稳定性。同时，该器件能够承受一定的反向浪涌电流，具备一定抗干扰能力，适合在噪声环境较复杂的系统中使用。EDZTE618.2B的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，允许其在极端环境条件下可靠运行，是高温环境下精密稳压需求的理想选择之一。

参数

型号：EDZTE618.2B
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-523（SC-79）
　　标称齐纳电压：18.2V
　　测试电流 (IZT)：5mA
　　最大齐纳阻抗 (Zzt)：20Ω
　　最大反向漏电流 (IR)：1μA @ 14.6V
　　功率耗散 (Ptot)：200mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　极性：单齐纳

特性

EDZTE618.2B齐纳二极管具备出色的电压稳定性和低动态阻抗特性，在5mA的标准测试电流下可提供精确的18.2V齐纳电压，确保在各种工作条件下都能实现可靠的电压钳位功能。其最大齐纳阻抗仅为20Ω，意味着在负载电流发生波动时，输出电压的变化非常小，从而提升了整个电源系统的稳定性。这种低阻抗特性特别适合用于模拟前端电路中的参考电压源或数字电路中的电平检测节点，有效防止因电压漂移而导致的误触发或信号失真问题。此外，该器件在低于击穿电压的反向偏置状态下表现出极低的漏电流，典型值不超过1μA（在14.6V时），这大大减少了静态功耗，对于电池供电或待机模式下的低功耗应用尤为重要。
　　该齐纳二极管采用SOD-523小型表面贴装封装，外形尺寸约为1.6mm × 1.2mm × 0.85mm，非常适合空间受限的高集成度印刷电路板设计。尽管体积小巧，但其热性能经过优化，可在200mW的最大功率耗散下正常工作，配合良好的PCB布局可有效散热，避免局部过热导致的性能下降。器件支持-55°C至+150°C的宽工作结温范围，不仅适用于常规商业环境，也可部署于汽车电子、工业自动化等对温度适应性要求较高的领域。ROHM的制造工艺保证了产品具有高度一致的电气参数和长期可靠性，减少了终端产品在批量生产中的筛选成本。此外，该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准的可能性较高，增强了其在严苛环境下的适用性。环保方面，EDZTE618.2B不含铅和卤素，符合RoHS和无卤指令要求，支持绿色电子产品设计。

应用

EDZTE618.2B主要用于需要稳定参考电压或过压保护的小信号电路中。常见应用场景包括电源电压监测电路、ADC参考源、微控制器复位电路、接口电平转换保护、传感器信号调理模块以及电池管理系统中的电压钳位单元。其高精度和低漏电特性也使其适用于便携式医疗设备、智能穿戴装置和物联网终端等低功耗系统。此外，该器件可用于通信接口（如I2C、SPI）的静电放电（ESD）防护网络中，作为辅助保护元件提升系统鲁棒性。在工业控制领域，它可被集成到PLC输入模块或信号隔离电路中，用于稳定采样电压并抑制瞬态干扰。由于其快速响应能力和良好的温度稳定性，EDZTE618.2B也可用于反馈环路中的误差检测环节，配合线性稳压器或运算放大器构成闭环稳压结构。总之，凡是在需要精准、小型化且可靠的电压基准或保护功能的场合，该齐纳二极管都是一个理想的选择。