型号：2SJ613-TD-E
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-3.4A（@Vgs=-4.5V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-10A
　　功耗（Pd）：1W（@Ta=25°C）
　　导通电阻Rds(on)：45mΩ（@Vgs=-4.5V）
　　导通电阻Rds(on)：55mΩ（@Vgs=-2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容（Ciss）：470pF（@Vds=-10V, Vgs=0V）
　　输出电容（Coss）：180pF（@Vds=-10V, Vgs=0V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（@Vds=-10V, Vgs=0V）
　　栅极电荷（Qg）：10nC（@Vds=-15V, Id=-3.4A）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-88A）
　　安装方式：表面贴装

2SJ613-TD-E采用了东芝先进的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构能够在保持小型封装的同时实现较低的导通电阻，从而有效降低功率损耗并提升系统整体效率。其最大漏源电压为-20V，适用于低电压电源管理系统，例如便携式消费类电子产品和嵌入式控制系统。该器件在Vgs=-4.5V时的典型Rds(on)仅为45mΩ，在同类P沟道MOSFET中表现出优异的导通性能，有助于减少发热并提高能效。
　　该MOSFET具有较宽的工作结温范围（-55°C至+150°C），可在恶劣环境条件下稳定运行，具备良好的热稳定性与长期可靠性。其栅极驱动电压兼容3.3V逻辑电平，在现代低电压数字控制电路中可直接由微控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。此外，输入电容和反向传输电容较小，使得开关速度较快，适用于高频开关应用如同步降压变换器或负载开关。
　　器件封装采用SOT-23小型化表面贴装形式，占用PCB面积小，有利于高密度布局，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求严格的终端产品。同时，该封装具备良好的散热性能，通过优化PCB焊盘设计可以有效传导热量，进一步提升功率处理能力。2SJ613-TD-E还具备雪崩能量耐受能力和良好的抗静电（ESD）保护特性，增强了在瞬态工况下的鲁棒性。
　　值得一提的是，该MOSFET的阈值电压范围为-0.8V至-1.5V，确保了在不同批次间的一致性，并避免了因阈值漂移导致的误触发问题。其低Qg（栅极电荷）特性减少了驱动损耗，提升了高频工作的效率。综合来看，2SJ613-TD-E凭借其高性能参数、紧凑封装和高可靠性，成为许多低功耗、高集成度电源设计中的优选器件。

2SJ613-TD-E广泛应用于各类低电压、小功率的电源管理与信号切换场合。常见于便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等设备的电池电源开关控制电路，用于实现系统的上电/断电管理和待机模式下的功耗优化。此外，它也常被用作DC-DC转换器中的同步整流开关，特别是在Buck（降压）拓扑结构中作为高端开关元件，与N沟道MOSFET协同工作以提高转换效率。
　　在负载开关（Load Switch）应用中，2SJ613-TD-E可用于隔离不同的电源域，防止电流倒灌，保护敏感电路模块，例如传感器、显示屏或无线通信模块的独立供电控制。其快速响应特性和低导通电阻有助于减少电压跌落和启动冲击电流，提升系统稳定性。
　　该器件还可用于电机驱动电路中的H桥结构，作为P沟道部分的开关元件，适用于微型直流电机或步进电机的正反转控制，尤其在玩具、小型家电和自动化装置中有广泛应用。此外，在LED背光驱动或指示灯控制电路中，也可利用其开关特性实现亮度调节或分组控制。
　　由于其具备良好的温度适应性和抗干扰能力，2SJ613-TD-E也被用于工业控制模块、医疗电子设备和物联网节点等对可靠性和稳定性要求较高的领域。总之，该MOSFET适用于所有需要高效、小型化P沟道开关解决方案的设计场景。

SSM3J063R-T1-F
　　CSD25310Q2
　　FDG6321P
　　DMG2304U
　　AO3401A