容量：9Mbit (1M x 9)
　　组织结构：1M x 9
　　访问时间：2.9ns
　　工作电压：3.3V
　　封装形式：36引脚 TSOP
　　温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
　　接口类型：异步
　　最大工作频率：约345MHz
　　功耗：典型值约180mA（待机模式下功耗更低）

HM61C092N292NR具有高速访问能力，访问时间仅为2.9ns，这使其适用于高速缓存或需要快速数据读写的系统中。该芯片采用CMOS技术，不仅提高了速度，还有效降低了功耗，尤其在待机模式下，能够显著减少能耗，提高系统效率。
　　其36引脚TSOP封装设计有助于节省PCB空间，并提供良好的热管理和电气性能，适用于高密度电路板布局。工业级温度范围确保其在各种环境条件下稳定运行，包括高温和低温场景。
　　此外，该SRAM芯片的异步接口设计简化了与外部控制器的连接，适用于多种嵌入式系统的应用。由于其9位数据总线设计（1M x 9），特别适合需要奇偶校验或ECC功能的系统，提高数据存储的可靠性。

HM61C092N292NR广泛应用于需要高速数据存取的电子系统中，包括但不限于：工业控制设备中的高速缓存存储器、网络与通信设备（如路由器、交换机）、嵌入式系统、测试与测量仪器、图像处理设备以及高性能计算模块等。
　　在通信系统中，该芯片可作为临时数据缓冲存储器，用于提高数据传输和处理效率。在工业控制系统中，它可被用作主控单元的扩展存储器，提升系统响应速度和数据处理能力。此外，在需要高可靠性和数据校验功能的设备中，其9位数据总线结构也使其成为理想选择。

CY7C1380D-2.5NSX, IDT71V416S09PFG, AS7C31026EC-10BIN-S2