时间：2025/8/6 2:34:23
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IXTT88N15是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适合于电源转换、电机控制和工业自动化等场景。IXTT88N15采用TO-247封装，便于安装散热器以提高散热效率。
类型：MOSFET
最大漏极电流（ID）：88A
最大漏源电压（VDS）：150V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.8mΩ
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
IXTT88N15的最大特点之一是其低导通电阻，这使得在高电流工作条件下，器件的导通损耗显著降低，从而提高整体系统的效率。该MOSFET具有高耐压能力，能够承受高达150V的漏源电压，适用于多种高压应用。其高栅极电压容限（±20V）确保了在复杂工作环境中的稳定性和可靠性。TO-247封装形式不仅提供了良好的热管理，还方便在高功率设计中进行安装和散热。
此外，IXTT88N15具有优异的热稳定性，可以在极端温度下正常工作，这使其非常适合在高温环境中使用的电源系统和工业设备。该器件的快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
IXTT88N15广泛应用于高功率电源设备，如DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器和逆变器等。其高耐压和低导通电阻特性使其成为工业自动化设备、高功率LED照明系统以及可再生能源系统（如太阳能逆变器）中的理想选择。此外，该MOSFET也适用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统。
IXTT88N150, IXTT88N100, IXTT88N20
