STC809JEUR-T 时间：2025/6/4 18:47:33 阅读：5

STC809JEUR-T 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压功率MOSFET，采用THT封装形式。该器件适用于高电压、高效率的开关电源和电机驱动等应用场景。其设计旨在提供低导通电阻的同时保持出色的开关性能，从而降低能耗并提升系统效率。
　　STC809JEUR-T 的主要特点包括极低的导通电阻、高雪崩耐量能力以及出色的热稳定性，使其成为工业控制、消费电子及汽车电子应用的理想选择。

参数

最大漏源电压：900V
　　连续漏极电流：8A
　　导通电阻：1.3Ω
　　栅极电荷：45nC
　　输入电容：1200pF
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

1. 高压操作能力，支持高达900V的漏源电压，确保在高电压环境下稳定运行。
　　2. 极低的导通电阻（1.3Ω），有效减少导通损耗，提高整体效率。
　　3. 出色的雪崩耐量能力，增强器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 快速开关速度，降低开关损耗，适合高频开关应用。
　　5. 宽工作温度范围（-55℃至+175℃），适应极端环境需求。
　　6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代化设计中。

应用

STC809JEUR-T 广泛应用于各种高压开关场景，典型应用包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
　　2. 电机驱动器中的逆变电路。
　　3. 工业自动化设备中的高压开关控制。
　　4. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
　　5. 可再生能源系统（如太阳能逆变器）中的功率管理模块。
　　6. 高效照明系统的驱动电路。