STC809JEUR-T 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高压功率MOSFET,采用THT封装形式。该器件适用于高电压、高效率的开关电源和电机驱动等应用场景。其设计旨在提供低导通电阻的同时保持出色的开关性能,从而降低能耗并提升系统效率。
STC809JEUR-T 的主要特点包括极低的导通电阻、高雪崩耐量能力以及出色的热稳定性,使其成为工业控制、消费电子及汽车电子应用的理想选择。
最大漏源电压:900V
连续漏极电流:8A
导通电阻:1.3Ω
栅极电荷:45nC
输入电容:1200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 高压操作能力,支持高达900V的漏源电压,确保在高电压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻(1.3Ω),有效减少导通损耗,提高整体效率。
3. 出色的雪崩耐量能力,增强器件在异常条件下的可靠性。
4. 快速开关速度,降低开关损耗,适合高频开关应用。
5. 宽工作温度范围(-55℃至+175℃),适应极端环境需求。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代化设计中。
STC809JEUR-T 广泛应用于各种高压开关场景,典型应用包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电机驱动器中的逆变电路。
3. 工业自动化设备中的高压开关控制。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
5. 可再生能源系统(如太阳能逆变器)中的功率管理模块。
6. 高效照明系统的驱动电路。
STP80NF90, IRFP260N, FDP17N90