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DTC123JUAT106 发布时间 时间:2025/12/23 21:56:55 查看 阅读:12

DTC123JUAT106是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等场景。该器件采用DFN封装形式,具备高开关频率、低导通电阻和优异的热性能。其设计旨在满足现代电力电子系统对效率和小型化的需求。

参数

型号:DTC123JUAT106
  类型:GaN 功率晶体管
  封装:DFN
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):8V
  导通电阻(Rds(on)):5mΩ
  最大漏极电流(Id):16A
  开关频率:最高可达10MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C

特性

DTC123JUAT106具有以下主要特性:
  1. 基于先进的氮化镓技术,提供卓越的开关速度和效率。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗。
  3. 高开关频率支持高频应用,减少磁性元件体积。
  4. 小型DFN封装,节省电路板空间。
  5. 内置保护功能,包括过流保护和短路保护,提升可靠性。
  6. 优异的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  7. 符合RoHS标准,环保友好。

应用

DTC123JUAT106适用于多种应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器,用于提高转换效率和减小尺寸。
  3. 无线充电模块中的功率传输组件。
  4. LED驱动器,提供高效稳定的电流控制。
  5. 快速充电适配器,实现更高功率密度。
  6. 消费类电子产品和工业设备中的功率管理单元。

替代型号

DTC123JUAT107
  DTC123JUBT106
  GXT123JUAT106

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DTC123JUAT106产品

DTC123JUAT106参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC123JUAT106-NDDTC123JUAT106TR