时间：2025/7/10 1:43:32
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GRT21BD72A225KE13L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于高效率、低损耗的电力电子转换系统中。该芯片采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合于要求严格的工业应用环境。
此型号为 N 沟道增强型 MOSFET，具有良好的热性能和电气特性，能够有效降低系统的功耗并提升整体效率。
最大漏源电压：72V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：225A
导通电阻：1.3mΩ
总栅极电荷：95nC
开关时间：开通延迟时间 86ns，上升时间 24ns，关断延迟时间 26ns，下降时间 32ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
GRT21BD72A225KE13L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高能效。
2. 高电流承载能力，支持高达 225A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，可实现高频运行，适用于高频率的电力转换场景。
4. 强大的热稳定性设计，允许其在极端温度范围内可靠工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅焊接工艺兼容。
6. 具有短路保护功能，在短时短路条件下能够自我保护不被损坏。
该芯片广泛应用于各种高功率场景，如直流电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车控制器、通信电源以及工业自动化设备中的开关电源模块。此外，由于其出色的效率和可靠性，也适用于需要大电流、低损耗的电池管理系统（BMS）和电动汽车动力系统领域。
GRT21BD72A200KE13L, GRT21BD80A225KE13L
