时间：2025/12/23 17:36:26
阅读：20
RF15N4R7A500CT 是一款高性能的射频功率场效应晶体管（RF Power MOSFET），广泛应用于高频、高效率的功率放大器设计中。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适合在无线通信、雷达系统以及其他射频应用中使用。
该晶体管主要针对需要高线性度、高增益以及宽频率范围的应用场景，其卓越的电气性能确保了在复杂射频环境中的稳定表现。
型号：RF15N4R7A500CT
类型：射频功率场效应晶体管 (RF Power MOSFET)
最大漏源电压 (Vds)：50 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
最大漏极电流 (Id)：25 A
导通电阻 (Rds(on))：2.5 mΩ
工作频率范围：DC 至 1 GHz
封装形式：TO-247
结温范围：-55°C 至 +175°C
RF15N4R7A500CT 具有以下显著特点：
1. 高击穿电压：能够承受高达 50V 的漏源电压，适用于高压射频环境。
2. 低导通电阻：仅 2.5mΩ 的导通电阻降低了功耗，提升了整体效率。
3. 宽频率范围：支持从直流到 1GHz 的频率范围，适应多种射频应用场景。
4. 高可靠性：具备优异的热特性和机械稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 高效散热：采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，可以快速将热量散发出去以保护器件本身。
RF15N4R7A500CT 主要应用于以下领域：
1. 射频功率放大器：用于无线通信基站、无线电广播设备等，提供高效稳定的功率输出。
2. 微波加热设备：如工业微波炉，利用其高效的功率转换能力实现快速加热。
3. 雷达系统：作为核心功率元件，为雷达发射机提供足够的射频能量。
4. 医疗设备：如超声波仪器、核磁共振成像设备等，对高频信号处理要求较高的场景。
5. 工业自动化控制：在需要精确控制和高频信号处理的场合下发挥重要作用。
RF15N4R7A600CT, RF15N4R7B500CT
