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IXTT30N50L2 发布时间 时间:2025/8/6 5:06:46 查看 阅读:13

IXTT30N50L2是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。这款MOSFET设计用于高效能和高可靠性,适用于各种电源转换系统,如DC-DC转换器、AC-DC电源、UPS系统以及电机控制应用。IXTT30N50L2具有低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高电压和高电流条件下运行,同时保持较低的功率损耗。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):0.155Ω @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTT30N50L2的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流条件下能够减少功率损耗,提高系统效率。此外,它具有较高的最大漏源电压(500V),适用于高电压电源转换应用。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V,推荐在10V左右驱动以获得最佳导通性能。其TO-247封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性,适合在高温环境下工作。此外,IXTT30N50L2具备快速开关能力,能够有效减少开关损耗,提高整体系统效率。
  该器件还具备较强的雪崩能量耐受能力,使其在突发电压或电感负载切换条件下具备更高的可靠性。同时,该MOSFET的封装设计有助于快速散热,避免因高温导致的性能下降或损坏。

应用

IXTT30N50L2广泛应用于各种高功率电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关部分。由于其高电压和高电流能力,该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。

替代型号

[
   "IRF50N50L",
   "FDP30N50",
   "STP30N50"
  ]

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IXTT30N50L2参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Linear L2™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs240nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds8100pF @ 25V
  • 功率 - 最大400W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件