IXTT30N50L2是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。这款MOSFET设计用于高效能和高可靠性,适用于各种电源转换系统,如DC-DC转换器、AC-DC电源、UPS系统以及电机控制应用。IXTT30N50L2具有低导通电阻(Rds(on))特性,能够在高电压和高电流条件下运行,同时保持较低的功率损耗。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):500V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):0.155Ω @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-247
IXTT30N50L2的主要特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这使得它在高电流条件下能够减少功率损耗,提高系统效率。此外,它具有较高的最大漏源电压(500V),适用于高电压电源转换应用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V,推荐在10V左右驱动以获得最佳导通性能。其TO-247封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性,适合在高温环境下工作。此外,IXTT30N50L2具备快速开关能力,能够有效减少开关损耗,提高整体系统效率。
该器件还具备较强的雪崩能量耐受能力,使其在突发电压或电感负载切换条件下具备更高的可靠性。同时,该MOSFET的封装设计有助于快速散热,避免因高温导致的性能下降或损坏。
IXTT30N50L2广泛应用于各种高功率电子系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关部分。由于其高电压和高电流能力,该器件特别适用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
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"IRF50N50L",
"FDP30N50",
"STP30N50"
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