DMN2215UDM-7是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用微型DFN3030-8L封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种功率管理应用,如负载开关、DC-DC转换器、电机驱动和电池保护等。这款MOSFET以其紧凑的尺寸和出色的电气性能,非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:4.3A
导通电阻:6.5mΩ
总栅极电荷:9nC
工作温度范围:-55℃至150℃
DMN2215UDM-7采用了先进的制造工艺,具备以下特点:
1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高开关速度,确保在高频应用中表现出色。
3. 小型DFN3030-8L封装,节省PCB空间。
4. 支持宽范围的工作温度,适应多种恶劣环境。
5. 内置反向二极管,简化电路设计并提供额外保护功能。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
DMN2215UDM-7广泛应用于以下领域:
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式电子设备的电源管理模块。
3. DC-DC转换器中的同步整流元件。
4. 小型电机驱动控制。
5. 锂离子电池保护电路。
6. 各种消费类电子产品中的信号切换与功率传输。
DMN2216UDM-7
DMN2217UDM-7
PSMN0R9-30YLD