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DMN2215UDM-7 发布时间 时间:2025/7/10 5:08:55 查看 阅读:12

DMN2215UDM-7是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用微型DFN3030-8L封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种功率管理应用,如负载开关、DC-DC转换器、电机驱动和电池保护等。这款MOSFET以其紧凑的尺寸和出色的电气性能,非常适合空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:4.3A
  导通电阻:6.5mΩ
  总栅极电荷:9nC
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

DMN2215UDM-7采用了先进的制造工艺,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高开关速度,确保在高频应用中表现出色。
  3. 小型DFN3030-8L封装,节省PCB空间。
  4. 支持宽范围的工作温度,适应多种恶劣环境。
  5. 内置反向二极管,简化电路设计并提供额外保护功能。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

DMN2215UDM-7广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的负载开关。
  2. 便携式电子设备的电源管理模块。
  3. DC-DC转换器中的同步整流元件。
  4. 小型电机驱动控制。
  5. 锂离子电池保护电路。
  6. 各种消费类电子产品中的信号切换与功率传输。

替代型号

DMN2216UDM-7
  DMN2217UDM-7
  PSMN0R9-30YLD

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DMN2215UDM-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 2.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds188pF @ 10V
  • 功率 - 最大650mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6
  • 供应商设备封装SOT-26
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMN2215UDMDITR