型号：D1710C
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：9.6A @ TC=70°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：38A
　　导通电阻(RDS(on))：5.8mΩ @ VGS=10V, ID=4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ @ VGS=4.5V, ID=4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：8.0mΩ @ VGS=2.5V, ID=4.0A
　　阈值电压(VGS(th))：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容(Ciss)：850pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：260pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：55pF @ VDS=10V
　　栅极电荷(Qg)：8.5nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间(td(on))：4ns
　　上升时间(tr)：27ns
　　关断延迟时间(td(off))：17ns
　　下降时间(tf)：15ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8

D1710C采用了安森美先进的TrenchFET工艺技术，这种技术通过优化沟道结构和降低寄生参数，显著提升了器件的导电性能与开关速度。其超低的导通电阻RDS(on)在同类产品中处于领先水平，尤其是在VGS=4.5V和VGS=2.5V等低驱动电压条件下仍能保持较低阻值，这使得它非常适合用于电池供电设备或需要节能设计的应用场景。例如，在便携式设备的同步整流电路中，低RDS(on)可有效减少传导损耗，提高整体转换效率。
　　该器件的栅极电荷Qg仅为8.5nC，表明其在高频开关操作下所需的驱动能量较小，有助于降低控制器的功耗并提升系统效率。同时，极短的开关时间（开启延迟4ns，上升时间27ns，关断延迟17ns，下降时间15ns）确保了快速响应能力，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率环境。这对于现代高密度电源模块（如POL负载点电源）至关重要，能够在减小外部滤波元件尺寸的同时维持稳定的输出电压。
　　D1710C还具备优良的热性能，SOP-8封装虽然体积小巧，但通过优化引脚布局和内部连接方式，实现了良好的散热路径，保证在高负载条件下也能稳定运行。此外，其输入、输出和反向传输电容均经过优化，降低了米勒效应的影响，从而减少了误触发的风险，提高了系统可靠性。阈值电压范围适中（0.6V~1.2V），兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外电平转换电路即可直接驱动。
　　该器件通过AEC-Q101认证，意味着其在温度循环、高温反偏、高压应力等严苛测试条件下均表现出色，适用于汽车电子中的电动座椅、车窗升降、LED照明驱动等应用。同时，符合RoHS指令要求，不含铅、汞、镉等有害物质，支持绿色制造流程。总体而言，D1710C是一款集高性能、高可靠性与环保特性于一体的先进功率MOSFET器件，适用于多领域复杂工况下的功率开关任务。

D1710C主要用于各类需要高效、快速开关的低压大电流功率转换场合。典型应用包括同步降压变换器（Buck Converter）中的上下管配置，特别是在负载点电源（Point-of-Load, POL）系统中，作为主开关或整流开关使用，能够显著提升转换效率并减少发热。此外，它也广泛应用于DC-DC模块、笔记本电脑主板电源管理单元、平板电脑和智能手机的充电管理电路中。
　　在电池管理系统（BMS）中，D1710C可用于电池充放电通路的控制开关，利用其低导通电阻减少能量损耗，延长续航时间。其快速开关特性也使其适合用于脉宽调制（PWM）电机驱动电路，例如小型直流电机、步进电机的H桥驱动，实现精确的速度和方向控制。
　　在汽车电子领域，D1710C可用于车载信息娱乐系统电源、仪表盘背光驱动、电动门锁控制等子系统中，得益于其车规级认证和宽工作温度范围，可在-40°C至+125°C的恶劣环境中长期稳定运行。此外，还可用于USB充电端口的过流保护和电源切换功能，配合控制器实现智能电源分配。
　　工业控制方面，该器件适用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O驱动模块、传感器供电开关以及继电器替代方案（固态开关），提高系统的响应速度和寿命。由于其表面贴装封装形式，特别适合高密度PCB布局，有利于小型化终端产品的开发。

NVMFS5C20NL,NCH4001PT1G,SI2302DDS