类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：950V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　连续漏极电流 Id：10A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 750mΩ
　　栅极电荷 Qg：典型值 62nC
　　输入电容 Ciss：典型值 1300pF

IXTH10N95 具备多项优良特性，使其在高电压功率应用中表现出色。首先，其高达 950V 的漏源击穿电压（Vds）使其适用于高压直流电源和工业电源系统。其次，较低的导通电阻（Rds(on)）在 10A 电流下能有效降低导通损耗，提升系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。IXTH10N95 还具备良好的热稳定性，TO-247 封装结构提供了较大的散热面积，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该 MOSFET 设计有快速恢复的体二极管，适用于需要反向电流恢复的应用场景，如 DC-DC 升压变换器和逆变器电路。其栅极驱动电压范围宽（通常为 10V 至 20V），可与多种驱动电路兼容。此外，IXTH10N95 还具有较高的雪崩能量承受能力，提升了在瞬态过压情况下的可靠性。

IXTH10N95 主要应用于需要高压、高效率、高频率开关的功率电子系统。常见用途包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路、太阳能逆变器、电机驱动器、UPS（不间断电源）系统、工业自动化控制设备以及高频感应加热设备等。由于其高耐压特性和良好的动态性能，它也非常适合用于高压 LED 照明电源和电动汽车充电系统中的功率转换模块。

IXTH10N90、IXTH10N100、FQA10N95、FQA10N95C、STF10N95K5