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IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 17:34:55 查看 阅读:12

IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有128K x 16位的存储容量,采用异步操作方式,适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 采用低功耗设计,工作电压范围为2.3V至3.6V,适合多种嵌入式系统和工业控制设备使用。该芯片采用54引脚TSOP封装,适用于表面贴装技术(SMT)装配。

参数

容量:128K x 16位
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:54-TSOP
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据总线宽度:16位
  工作模式:异步
  最大工作频率:约18 MHz(基于访问时间)

特性

IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 具有多个关键特性,使其适用于高性能嵌入式系统和工业控制应用。首先,该芯片的异步SRAM架构允许在没有时钟信号的情况下进行数据读写操作,从而简化了系统设计并降低了功耗。其高速访问时间为55ns,支持最大工作频率约为18 MHz,适用于需要快速响应的应用场景。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,支持宽电压操作,适用于多种电源配置环境。此外,IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 的低功耗特性使其适用于对能效要求较高的应用,如便携式设备和远程传感器系统。
  封装方面,该芯片采用54引脚TSOP封装,符合工业标准,适用于表面贴装工艺(SMT),便于自动化生产。此外,该芯片支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在恶劣环境下仍能稳定运行,适用于工业控制、通信设备和汽车电子等应用领域。
  IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 还具备高可靠性设计,具有较长的数据保持时间和耐久性,适合长期运行的应用场景。其CMOS制造工艺提供了良好的抗干扰能力和稳定性,有助于提升系统整体的可靠性和性能。

应用

IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 主要应用于需要高速数据存储和低功耗特性的嵌入式系统和工业控制设备。例如,在工业自动化控制系统中,该芯片可用于存储程序代码、实时数据缓存和临时数据存储,支持高速数据处理和快速响应。在通信设备中,该芯片可用于网络交换机、路由器和无线基站等设备,提供高速缓存和临时数据存储功能。
  此外,该芯片还可用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、车身控制模块和智能驾驶辅助系统,满足汽车应用对高可靠性和宽温范围的要求。在消费类电子产品中,该芯片可用于数字电视、机顶盒和智能家居设备,提供稳定的存储支持。
  由于其异步SRAM架构和宽电压设计,该芯片还可用于医疗设备、测试仪器和智能仪表等对数据存储稳定性和可靠性要求较高的应用场景。IS62WV12816BLL-55B2LI-TR 也适用于各种基于微控制器的系统,作为外部高速存储器扩展,以提升系统性能和数据处理能力。

替代型号

IS62WV12816BLL-55B2LI、IS62WV12816BLL-55B3MAI、CY62148BLL-55B43I、IDT71V128SA16PFG55BGI

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IS62WV12816BLL-55B2LI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量2 Mbit
  • 组织128 K x 16
  • 访问时间55 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.5 V
  • 最大工作电流3 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体mBGA-48
  • 封装Reel
  • 接口TTL
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量2500
  • 类型Asynchronous